10.10.2005, 05:21 PM
habe mal getestet: nette spikes mit 200a...
versuch: 2 getrennte r vor den gates, dann zeigt sich differenz der spg ,
genau hier sind beide fet an.
wenn die r nur 4 ohm haben, gibts den effekt schon.
und wie schon gesagt, poly-silicon hat nen widerstand, dh, die gate haben intern je nach typ 1 bis 7 ohm , soweit ich weis.
deswegen kann ein mosfet je nach aufbau auch nicht unendlich schnell sein,
abgesehen von den induktiven problemen in der realen welt.
zur klärung: der gate-spike kommt durch die gate-drain+source kapazitäten, die koppeln aufs gate zurück, was umso übler wird, je schneller der ausgang schaltet.
versuch: 2 getrennte r vor den gates, dann zeigt sich differenz der spg ,
genau hier sind beide fet an.
wenn die r nur 4 ohm haben, gibts den effekt schon.
und wie schon gesagt, poly-silicon hat nen widerstand, dh, die gate haben intern je nach typ 1 bis 7 ohm , soweit ich weis.
deswegen kann ein mosfet je nach aufbau auch nicht unendlich schnell sein,
abgesehen von den induktiven problemen in der realen welt.
zur klärung: der gate-spike kommt durch die gate-drain+source kapazitäten, die koppeln aufs gate zurück, was umso übler wird, je schneller der ausgang schaltet.
Don't worry about getting older. You're still gonna do dump stuff...only slower