[Gast]

Idiot.

[alfsch]

selbsterkenntnis?

[Rumgucker]

Cool! Ich will mitzoffen

[Rumgucker]

Wir müssen mal was tun, sonst faulen wir hier ab.

Andreas, so wie ich Dich kenne, hast Du doch bestimmt doch noch den einen oder anderen Account im Hifi-Forum. Und Alfsch ist da bestimmt doch auch noch angemeldet. Und Sixtas doch auch wieder.

Trommelt doch da mal ein bißchen und macht Werbung für uns.

Wir sollten der Aktion nen Namen geben: "Frisches Zoff-Fleisch für Andreas"

[Rumgucker]

Und was ist mit ZDT ? Kriegt Ihr das nicht hin, Ihr Memmen?

Ok... wie Ihr wollt ... dann werde ich mal wieder was erfinden.

Hatten wir diese Woche schon meine dieswöchige Totem-Pole-Schaltung gesehen?

[Rumgucker]

Idee:

warum bringen wir nicht Spulenteile in die Sourcezuleitung rein? Dann wird die Sourcespannung im Freilauf etwas angehoben und damit ein Einschalten der PN-Diode sicher verhindert und dieser von einer Schottky-Inversiode übernommen.

Ich mal's Euch gleich mal auf.

Dieses mit dem kritischen Teilkurzschluß von Alfsch gefällt mir jedenfalls noch nicht, obschon ich das Prinzip dahinter weiterhin klasse finde. Muß nur noch ein wenig optimiert werden.

[alfsch]

!" meine dieswöchige Totem-Pole-Schaltung"
evtl unter neuer rubrik: witz der woche ?

zdt: nur als idee, sicher nicht für einfach-billig d-amps geeignet:
wenn wir mit schneller logik schalten, ala vorstellung vom gast gegentakt-kim, köönte man folgendes testen:
wir schalten schnell und ohne delay unterschiede , dh shoot würde entstehen, nun verknüpfen wir die spg am gate des ausschaltenden fet exor-like mit der logik zum einschalten des anderen fet, dh erst wenn die gate spg unter zb 3v gefallen ist, schaltet der andere an.
damit bekommen wir immer einen kontrollierten minimalen shoot, eben zdt.
denke die syphillis chips sind so gebaut.

[Rumgucker]

Ist ZDT patentiert? Dann könnte man da mal abgucken....

Und warum müssen wir das von der Gate-Spannung abhängig machen? Drain-Spannung müßte doch auch gehen. Im Gegensatz zu Philips können wir auch Zusatz-Windungen wickeln. Ein großer Vorteil diskreter Lösungen gegenüber einem Chip.

[Rumgucker]

Ich hab mal Zusatzwindungen sowohl in die Drain als auch Source-Zuleitungen gepackt. Ich will damit das Einschalten der PN-Strecke durch Gegenspannung verhindern und die Stromübernahme durch externe Schottky erreichen.

Also ähnliches Prinzip wie Alfsch. Allerdings behindere ich den PN-Übergang, während Alfsch die Schottkys begünstigte. Also nur genau andersrum. Ich hatte allerdings die Hoffnung des unkritischeren Abgleichs.

Aber glücklich bin ich nicht. Wie immer ich es auch wende und drehe... es bringt nicht die erwünschten Vorteile. Ich versteh noch nicht warum....

[alfsch]

woher willste am drain was sinnvolles erkennen? der fet kann 100a ziehen, bei 100v oder 5v am drain
am gate wissen wir : je nach typ zb: bei 3v zieht er 3-5a, schaltest du eher um, peng! und später gibt deadtime, da der eine jetzt definitiv aus is.

[Rumgucker]

Udn aus der Rückschlagspannung der Spule? Können wir da nichts draus ableiten? *hoff*

[Rumgucker]

Idee...

Ok, ich versteh, daß wir den unteren Transistor einschalten müssen, sobald die obere GS-Spannung unter 3V gefallen ist.

Wie wäre es, wenn wir beiden Gates brutal mit einer Kapazität brücken? Sobald die GS-Spannung oben schnell fällt, kriegt der untere ne steigende GS-Spannung.

[alfsch]

schau, wir wollen nen motor steuern, ich meine, am input, vergaser, steuern bzw leistungs-zustand erkennen ist besser, als am auspuff;

aus der Rückschlagspannung der Spule..? ja, schon, aber eher in richtung überstrom-schutz, da hier sinnvoll nur was zu erkennen ist, wenn der fet on is.

[alfsch]

"Wie wäre es, wenn wir beiden Gates brutal mit einer Kapazität brücken? Sobald die GS-Spannung oben schnell fällt, kriegt der untere ne steigende GS-Spannung."
klasse idee.
ähh, und was mach ich in der cheap-d ?

[Rumgucker]

Oder denken wir ganz in die falsche Richtung?

Ich hab mir eben mal Kennlinienfelder des Inversbereiches angeschaut. Es ist schon so, daß wir durch Einschalten des MOS dem PN-Übergang die MOS-Schottky parallel schalten.

Aber je nach Innenwiderstand des MOS ergibt sich irgendwann ein Spannungsabfall, der dann doch zum Einschalten der PN-Strecke genügt.

Und wir haben ja festgestellt, daß gerade die hochohmigen MOS für Deine Schaltung besonders geeignet sind, weil sie auch meist geringe Eingangskapazitäten aufweisen.

Was mich nur wundert: Philips hat auch hochohmige MOS (0,3 Ohm). Wenn die ZDT-Schaltungen machen, liegen diese 0,3 Ohm dem PN parallel. Der Chip bringt 7As. 7A * 0,3 Ohm = 2,1V... sollte also immer zum Stromfluß im PN reichen.

Irgendwas hab ich da noch nicht verstanden, Alfsch....

[Rumgucker]

In Deiner Cheap-Schaltung fährst Du zeitversetzte Signale. Einerseits durch die Dioden und andererseits durch die Vorwiderstände vor der Eingangs-Kapazität. Eben weil Du break-before-make erreichen wolltest.

[Rumgucker]

Nochmal im Klartext:

Der Schottky-Übergang hat ne Widerstandsgerade als Kennlinie. Zwar kennt er keine Schwellspannung aber er kennt einen Widerstand der (invers betriebenen) SD-Strecke.

So lange wir im linearen Schottky-Bereich bleiben, kann der PN-Übergang nicht "zünden".

Aber bei unseren typischen 10As benötigen wir dazu einen MOS-Transistor, der nicht mehr als 30 mOhm haben darf.

Und derart geringe Rdon's habe nur hochkapazitive MOS, die wir mit der Cheap-Schaltung nicht mehr richtig treiben können.

Also nix mit "ZDT", oder?

[alfsch]

genau. sonst peng.

#wundert: Philips hat auch hochohmige MOS (0,3 Ohm...
aber wohl schnelle back-dioden, dann passiert nicht viel, vor allem, wenn noch bei stromfluss im fet umgeschaltet wird
spitzname: sweet spot

[Rumgucker]

Stimmt.. die Philips-Luschen schaffen ja auch nicht die geforderten "100ns". Die Jungs würden hier keinen Blumentopf gewinnen

Also back zu Deiner Spulenidee. Die fand ich gut.

Warum funktioniert es nicht, wenn ich mit dem PN-Übergang ne Gegenspannung in Reihe schalte, um das Zünden zu verhindern und die parallelgeschaltete Schottky zu begünstigen?

[alfsch]

#Warum funktioniert es nicht, wenn ich mit dem PN-Übergang ne Gegenspannung in Reihe schalte, um das Zünden zu verhindern und die parallelgeschaltete Schottky zu begünstigen?

weis net, was genau das sein soll ...aber jede induktivität im source-gate-kreis ist kacke

sieh dir mal die spg-peaks bei einigen a an, killt das gate vermutlich