08.09.2005, 02:13 PM
hallo Rumgucker,
doch, das interessiert bestimmt einige leute. Suche auch schon die ganze zeit im netz rund ums thema modelle erzeugen, schwierigstes thema, man findet so gut wie nichts. Das modellieren scheint eine hochspezielle aufgabe für ein paar wenige firmen zu sein (siehe modpex, dialyse etc), ich denke, dazu gehört viel know how auch von seiten der gerätschaften, um diese parameter zu messen (es geht ja nicht nur um die parameter, die im datenblatt stehen).
Und japanische hersteller scheinen sich um spice generell so gut wie überhaupt nicht zu kümmern
Statische parameter (temperaturverhalten, ie/ia-kennlinien etc) sollten ja noch einfach modellierbar zu sein, bei den komplexen, f-abhängigen, blicke ich nicht mehr durch. Ich habe nur manchmal den eindruck, dass da geschummelt wird. Z.b. sehen die vielen krummen werte bis an die fünfte stelle hinterm komma nach automatischer "gummel-modell-ersetzung" aus, und transistoren mit unterschiedlichen uceo's bekommen einfach 100% das gleiche modell, obwohl jeder weiß, dass mit höherer uceo-durchbruchspannung fast zwangsweise h21e geringer ausfällt.
Grundvoraussetzung scheint mir zu sein, dass man auch zuersteinmal sich über die zahlreichen parameter-"testschaltungen" gedanken macht, damit man überhaupt kurven zu gesicht bekommt, die man nach dem datenblatt "hinbiegen" möchte (z.B. ft als func. von f oder f(h21e) = ic usw.)
kim
doch, das interessiert bestimmt einige leute. Suche auch schon die ganze zeit im netz rund ums thema modelle erzeugen, schwierigstes thema, man findet so gut wie nichts. Das modellieren scheint eine hochspezielle aufgabe für ein paar wenige firmen zu sein (siehe modpex, dialyse etc), ich denke, dazu gehört viel know how auch von seiten der gerätschaften, um diese parameter zu messen (es geht ja nicht nur um die parameter, die im datenblatt stehen).
Und japanische hersteller scheinen sich um spice generell so gut wie überhaupt nicht zu kümmern
Statische parameter (temperaturverhalten, ie/ia-kennlinien etc) sollten ja noch einfach modellierbar zu sein, bei den komplexen, f-abhängigen, blicke ich nicht mehr durch. Ich habe nur manchmal den eindruck, dass da geschummelt wird. Z.b. sehen die vielen krummen werte bis an die fünfte stelle hinterm komma nach automatischer "gummel-modell-ersetzung" aus, und transistoren mit unterschiedlichen uceo's bekommen einfach 100% das gleiche modell, obwohl jeder weiß, dass mit höherer uceo-durchbruchspannung fast zwangsweise h21e geringer ausfällt.
Grundvoraussetzung scheint mir zu sein, dass man auch zuersteinmal sich über die zahlreichen parameter-"testschaltungen" gedanken macht, damit man überhaupt kurven zu gesicht bekommt, die man nach dem datenblatt "hinbiegen" möchte (z.B. ft als func. von f oder f(h21e) = ic usw.)
kim