28.04.2015, 04:13 PM
eGaN FET Class-D EPC9106 96% Power Efficiency Verstärker
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28.04.2015, 05:21 PM
Die GaN-Schalter sind extrem schwer zu handeln...sowohl technisch, als auch mechanisch...ESD...
28.04.2015, 06:55 PM
Zitat:Original geschrieben von christianw.
http://epc-co.com/epc/EventsandNews/News...esign.aspx
Schaltplan:
http://epc-co.com/epc/Portals/0/epc/docu...06_qsg.pdf
Hab ich auch gesehen in DIY-audio. Ausser dem üblichen Marketing Geschwurbele konnte ich keine Specs entdecken, die die Aussergewöhnlichkeit dieses Teils belegen.
...mit der Lizenz zum Löten!
29.04.2015, 10:02 AM
Die Fets sind nicht so übel, du kannst die Verluste nur nicht gescheit abführen weil das Flipchip-Package so beknackt konstruiert ist
29.04.2015, 04:24 PM
Silikonpad? Es gibt ja auch flüssigkeitsgefüllte Wärmeleitkissen.
29.04.2015, 06:55 PM
Naja, Bastler-Inkompatibel. Um ein halbwegs passendes Layout machen zu können brauchts minimum vier Layer, aber eigentlich mehr. Lötung per Hand ohne Heißluft ist auch schwer bis gar nicht zu machen...
Von den Teilen bin ich noch nicht überzeugt. Vielleicht wenn sie billiger werden...
Von den Teilen bin ich noch nicht überzeugt. Vielleicht wenn sie billiger werden...
25.05.2015, 02:29 PM
TI hat sich der Thematik angenähert -> LMG5200
Macht die Dinger doch gleich wieder interessanter.
Mit max. 80V @ 10A kann man schon ordentlich krach machen
Zitat:Features39,50$ / 100 Units -> 0,40 $
Input Voltage up to 80-V DC
Integrated 80-V, 18-m?, GaN FETs
Optimized Pinout for Easy PCB Layout
Internal Bootstrap Supply Voltage Clamping to Prevent GaN FET Overdrive
Supply Rail Undervoltage Lockout
Independent High-Side and Low-Side TTL Logic Inputs
Fast Propagation Times (29.5 ns Typical)
Excellent Propagation Delay Matching (2 ns Typical)
Low Power Consumption
Description
The LMG5200, a 80-V Driver GaN half-bridge power stage, provides an integrated power stage solution using enhancement-mode Gallium Nitride (GaN) FETs. The LMG5200 consists of two, 80-V GaN FETs driven by one high-frequency GaN FET driver in a half-bridge configuration.
The inputs of LMG5200 are TTL logic compatible, and can withstand input voltages up to 14 V regardless of the VCC voltage. The proprietary bootstrap voltage clamping technique ensures the gate voltages of the enhancement mode GaN FETs are within a safe operation range. GaN FETs provide significant advantages for power conversion as they have near zero reverse recovery and very small input capacitance CISS. All the devices are mounted on a completely bond-wire-free package platform with minimized package parasitic elements. The LMG5200 is available in a 6 mm x 8 mm x 2 mm lead free package and can be easily mounted on PCBs.
The LMG5200 extends advantages of discrete GaN FETs by offering a more user-friendly interface. It is an ideal solution for applications requiring high-frequency, high-efficiency operation in a small form factor. It reduces the board requirements for maintaining clearance and creepage requirements for medium voltage GaN applications while minimizing the loop inductances to ensure fast switching.
Macht die Dinger doch gleich wieder interessanter.
Mit max. 80V @ 10A kann man schon ordentlich krach machen
"Ich hab Millionen von Ideen und alle enden mit Sicherheit tödlich."
25.05.2015, 04:42 PM
Auf der PCIM hab ich intensiv mit den Leuten von Transphorm geredet, bezüglich GaN in bedrahteten Gehäusen. Man hat mir Oszillogramme gezeigt mit 100V/ns an TO-220.
Der Trick ist die Cascode...die eliminiert die Rückwirkung vom dI/dt an der Source-Induktivität auf die Gatespannung im Schaltmoment. Samples sind aufm Weg...ich werde berichten, wenns interessiert.
Der Trick ist die Cascode...die eliminiert die Rückwirkung vom dI/dt an der Source-Induktivität auf die Gatespannung im Schaltmoment. Samples sind aufm Weg...ich werde berichten, wenns interessiert.
25.05.2015, 07:10 PM
Zitat:Original geschrieben von E_Tobi
Der Trick ist die Cascode...die eliminiert die Rückwirkung vom dI/dt an der Source-Induktivität auf die Gatespannung im Schaltmoment. Samples sind aufm Weg...ich werde berichten, wenns interessiert.
Wie das?
ja, es interessiert
...mit der Lizenz zum Löten!
25.05.2015, 08:17 PM
Hatten wir da nicht schonmal drüber nachgedacht, ob das bei Class D nicht sinvoll wäre ne Caskode zu verwenden ? Ich meine Gucki hatte das mal simuliert und gute Ergebnisse erziehlt
25.05.2015, 09:15 PM
Zitat:Original geschrieben von voltwide
Wie das?
Der Strom in der Source wird im Schaltmoment durch die D-G-Kapazität vom HEMT weitergetrieben - haben wir uns zumindest ausklamüsert...aber in der Simu klappts so auch. Beeindruckend schnell, auf jeden Fall...für bedrahtete Gehäuse.
26.05.2015, 11:31 AM
Ja, die Cascode Konstellation hat natürlich Vorteile hinsichtlich schnellem Schalten.
Sind die dann auch schneller kaputt?
Konkret: Ich finde keinerlei Angaben hinsichtlich induktivem Schalten, d.h. avalanche ratings. Wie sieht es damit aus?
Ich habe noch ne Musterkiste selbstleitender HV-JFETS von Infineon. Die könnte ich mit einem NMOS in der source-Leitung ähnlich betreiben.
Sind die dann auch schneller kaputt?
Konkret: Ich finde keinerlei Angaben hinsichtlich induktivem Schalten, d.h. avalanche ratings. Wie sieht es damit aus?
Ich habe noch ne Musterkiste selbstleitender HV-JFETS von Infineon. Die könnte ich mit einem NMOS in der source-Leitung ähnlich betreiben.
...mit der Lizenz zum Löten!
26.05.2015, 05:29 PM
GaN kennt kein Avalanche. Überspannung, kaputt.
Bei den winzigen Kapazitäten stellt das große Ansprüche an ESD und Handling...
Die Ansprüche ans Layout sind dann dementsprechend groß...
Bei den winzigen Kapazitäten stellt das große Ansprüche an ESD und Handling...
Die Ansprüche ans Layout sind dann dementsprechend groß...
26.05.2015, 05:41 PM
Zitat:Original geschrieben von E_Tobi
GaN kennt kein Avalanche. Überspannung, kaputt.
Bei den winzigen Kapazitäten stellt das große Ansprüche an ESD und Handling...
Die Ansprüche ans Layout sind dann dementsprechend groß...
Oha, mein Interesse sinkt fast wie zuweilen der DAX!
...mit der Lizenz zum Löten!
26.05.2015, 07:22 PM
GaN LEDs sind auch nciht sofort kaputt...
http://proj.ncku.edu.tw/research/article...530/5.html
http://www.semiconductor-today.com/news_...1113.shtml
http://proj.ncku.edu.tw/research/article...530/5.html
http://www.semiconductor-today.com/news_...1113.shtml
27.05.2015, 08:01 PM
Zitat:Original geschrieben von Basstler
TI hat sich der Thematik angenähert -> LMG5200
...
39,50$ / 100 Units -> 0,40 $
Macht die Dinger doch gleich wieder interessanter.
Mit max. 80V @ 10A kann man schon ordentlich krach machen
Korrektur :
Wollte heute Muster ordern .... TI meint ernsthaft 39,50$ bei Abnahme von 100 Stck. pro Stück !!!
Tse ... bei den Kursen werden neue Technologien es schwer haben, am Markt Fuss zu fassen, schade eigentlich
"Ich hab Millionen von Ideen und alle enden mit Sicherheit tödlich."
27.05.2015, 09:47 PM
naja - steht ja auch so da : 39$ bei 100 stk. ...sonst steht da halt zb 1.22 $ bei 1000 stk.
was dann ja auch nicht bedeuten soll, ein chip kost 0,1 cent
Don't worry about getting older. You're still gonna do dump stuff...only slower
29.05.2015, 06:41 PM
Man sagt (wichtige Menschen mit vielen Titeln) GaN würd in ca. 5 Jahren in relevanten Mengen eingesetzt. Dann bei vergleichbarer Leistung billiger als Silizium, weil weniger Fläche pro Chip.....bei 8"-Wafern sind sie im Moment, bei GaN...
29.05.2015, 06:53 PM
Für mich als Chipmäßig unwissenden, ist 8" viel oder wenig ?
29.05.2015, 07:07 PM
wenig,der Standart ist 12"
Nur schnell noch....ohh.....hmm.....shit......na egal!
Nicht alles was funktioniert sollte es auch.
Nicht alles was funktioniert sollte es auch.