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ripple =0 geht nie. irgendwie logisch...müsste ja Ri der caps = 0 sein, das gibts in der realen Welt nicht
10u...zb
http://www.reichelt.de/Vielschicht-SMD-G...R-G1210+10
>Laut AN sollte ein Konstrukt aus mehreren MLCC parallel nie weiter als x10 auseinander sein. Also eher 1n 4n7 22n.
naja...obs real wirklich was taugt, muss man dann echt messen...Parameter, db, Vermutung - reicht nicht wirklich, die Angaben sind ja nicht unbedingt das, was die Bauteile alle zusammen dann wirklich machen
Zitat:Sind die MLCCs in der Simulation mit Hersteller-S-Parametern simuliert?
Edit: Kannst du die Simulation noch hochladen, danke.
- nee
- nee (habs leider nicht gespeichert
)
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Na Ripple = mit ESR 0 geht auch nicht, weil wegen RDS_on.
Hmm, legt man mit den 4700uF nicht auch die Regelung des Netzteil "lahm", bzw. sind diese 4700uF zu sehen wie blei klassischen Verstärkern (A/B), also Auslegung auf den Audiofrequenzbereich.
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Ein kleiner Widerstand zwischen geregeltem NT und den 4700uF sollte doch gehen? Der Spannungseinbruch ist dann definiert, der Restripple gleich oder besser, die Regelung glücklich. Juckt das den Amp?
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Zitat:Original geschrieben von alfsch
10u...zb
http://www.reichelt.de/Vielschicht-SMD-G...R-G1210+10
Laut
http://psearch.en.murata.com/capacitor/p...A12%23.pdf
bleiben bei 20V immerhin noch 7,5uF.
Spice-Parameter:
Code:
*----------------------------------------------------------------------
* SPICE Model generated by Murata Manufacturing Co., Ltd.
* Copyright(C) Murata Manufacturing Co., Ltd.
* Description :3225mm 1210inch/X7R(-55to125[deg])/1.00e+01uF/35[V]
* Murata P/N :GRM32ER7YA106KA12
* Property : C = 1.00e+01[uF]
*----------------------------------------------------------------------
* Applicable Conditions:
* Frequency Range = 100[Hz]-6[GHz]
* Temperature = 25 degC
* DC Bias Voltage = 0V
* Small Signal Operation
*----------------------------------------------------------------------
.SUBCKT GRM32ER7YA106KA12 Port1 Port2
C01 Port1 N01 9.30e-06
R01 Port1 N01 5.00e+07
L02 N01 N02 1.87e-11
R03 N02 N03 1.47e-03
C04 N03 N04 1.16e-03
R04 N03 N04 4.57e+00
C05 N04 N05 2.08e-03
R05 N04 N05 2.95e-01
C06 N05 N06 1.77e-03
R06 N05 N06 6.00e-02
C07 N06 N07 1.99e-03
R07 N06 N07 8.68e-03
C08 N07 N08 1.92e-03
R08 N07 N08 1.42e-03
L09 N08 N09 1.00e-11
R09 N08 N09 5.34e-02
L10 N09 N10 3.07e-11
R10 N09 N10 2.63e-02
L11 N10 N11 4.46e-10
R11 N10 N11 1.91e-02
C12 N11 N12 1.51e-05
L12 N11 N12 1.90e-10
R12 N11 N12 1.66e-02
C13 N12 N13 1.58e-05
L13 N12 N13 7.83e-11
R13 N12 N13 1.05e-02
C14 N13 N14 2.24e-11
L14 N13 N14 3.96e-11
R14 N13 N14 2.94e+00
C15 N14 N15 3.37e-12
L15 N14 N15 1.11e-10
R15 N14 N15 5.97e+01
C16 N15 Port2 2.95e-13
L16 N15 Port2 1.27e-10
R16 N15 Port2 1.00e+05
.ENDS GRM32ER7YA106KA12
Werde ich zumindest mal vorsehen pro Seite, auf die 1n 100n sollte man aber aus EMV Gründen sicher nicht verzichten.
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Zitat:Werde ich zumindest mal vorsehen pro Seite, auf die 1n 100n sollte man aber aus EMV Gründen sicher nicht verzichten.
lies mal so...
http://licn.typepad.com/my_weblog/2011/0.../#comments
http://softsolder.com/2011/12/19/capacit...e-madness/
http://www.xilinx.com/support/documentat...app623.pdf
sprich: es hängt von den (teils unbekannten) Parasiten der caps und deren Position/Entfernung ab, ob die extra par. caps verschiedener Typen eine Verbesserung oder eine Katastrophe darstellen.
(auch meine Erkenntnis , i.ü.)
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Bei Resonanzen im GHz-Bereich stellt sich die Frage, wieweit die aktiven Bauteile überhaupt in der Lage sind, diese anzuregen. Schließlich schalten selbst MOSFETs nicht beliebig schnell.
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Zitat:
2. The minimum impedance value is not necessarily ESR (or ESR/n, where n is the number of identical parallel capacitors); it can be lower than that!
Glaub ich nicht!
Unabhängig davon -
die Annäherung des Impedanzverlaufes an die Realität steht und fällt in dem Maße wie ich alle parasitics vollständig und korrekt in meine Modellierung packe.
Dann ist es theoretisch egal, ob ich mit LTSpice oder irgendeinem anderen Programm simuliere.
Und der Impedanzverlauf selbst ist ja erst die eine Hälfte der Wahrheit.
Die andere Hälfte ist der Stimulans, also der/die anregenden MOSFETS o.ä.
Erst beides zusammengenommen ermöglicht eine Aussage über zu erwartende Resonanzüberhöhungen.
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jepp, wobei für ein echtes "hi-speed" design geht es etwas anders, zb für die PC-mainboards mit GHz-cpu und x-100MHz getakteten Ram usw :
eine sinnvolle breitbandige Dämpfung wäre mit der cap-nahe-am-pin Methode eh nicht mehr möglich, wenn so n chip irgendwelche 30+ power-pins hat;
da geht das afaik so: die multilayer-platte hat ja nur noch dünne Schichten, zb zwischen Masse und VCC , das gibt als Wellenleiter irgendwelche 5 Ohm Impedanz (oder auch weniger); dann verteilt man verstreut einge (zig) caps und einige Energiepuffer (poly-elkos); es ergibt sich dann eine breitbandige Dämpfung bis in den GHz-Bereich, egal wo auf der Platine man nen chip hinsetzt - einfach direkt am pin auf den entsprechenden layer durchkontaktieren - fertisch. auch irgenwie cool - oder ?
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Ja, auch wenn aktuelle Boards selten mehr als 4 (6) Layer haben.
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GHz-boards mit 4-6 Layer? Wohl kaum!
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6...10 layer sind wohl drin , 6 haben die billig-boards
http://www.hardwareluxx.de/index.php/new...oards.html
zb mit nur 6 layer . das raspberry pi (rund 35 € , der komplette ARM Rechner )
http://raspberrypi.wikispaces.com/Hardware
dieses hat sicher etwas mehr....von allem...
[Bild: protection-mb.jpg]
[Bild: speed-m2.png]
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Asus LGA775 Mainboard, 4 Layer, hier vor mir.
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Bekommt heute abend nen Foto von der Rückseite eines i.MX6 Boards,
da sitzen 0201 MLCCs diagonal zwischen BGA Vias ... letzteres erzwingt praktisch 6+X Lagen, sonst bekommt man das nicht mehr entflechtet.
"Ich hab Millionen von Ideen und alle enden mit Sicherheit tödlich."
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Sowas hab ich hier gerade auf dem Tisch:
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Wollte Alfsch nicht noch was messen (müssen/sollen)?
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mmmm --dürfen--
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