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Ehm, Bürklin liefert inzwischen auch an privat !
Hat mich auch sehr gefreut, da die Münchner ne gute Auswahl an Ferriten am Start haben.
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Zitat:Original geschrieben von Basstler
Ehm, Bürklin liefert inzwischen auch an privat !
Hat mich auch sehr gefreut, da die Münchner ne gute Auswahl an Ferriten am Start haben.
Jo, das war mir beim LLC-projekt sehr praktisch! Endlich sind sie diesen Schritt gegangen.
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So, die NTD5806 und seine Brüder sind bestellt.
Ich hab mich jetzt mal auf DPAK festgelegt. Kann man weigstens kommod ein- & auslöten.
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Hab mich mal hingesetzt und ein bisschen gerechnet.... (vielmehr rechnen lassen), das ganze orientiert sich an der AN1471 von Microchip und Datenblatt-Angaben der MosFETs.
Linear Technology empfiehlt den RJK0451 (oder auch RJK0452):
Alternativen von ON, mein Favorit:
eine Nummer größer:
Die Absolutwerte sind etwas mit Vorsicht zu genießen, gerade Psw ist stark von den Umschaltzeiten abhängig und folglich vom Gate-Vorwiderstand bzw. von der Stromlieferfähigkeit des Treibers. Ich rechne hier mit 1.5R Gate-Vorwiderstand, man müsste erstmal herausfinden welche Schaltzeiten in der Praxis realistisch sind. Linear ist da etwas gemein: die gehen von 0R aus und erreichen so fantastische 98% (wers glaubt...). Pcin/Pcout ist der Verlust der Kondensatoren (Annahme ESR = 10mR, MLCC).
Also: Psw vergessen, mehr auf relative Unterschiede achten!
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10mR für MLCC finde ich allerdings viel, da liegen OSCON bereits drunter (unter Vernachlässigung der Zuleitungen).
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Jo, stimmt. So hat man aber mal ne Hausnummer für die Verluste.
Der ESR geht ja zum Glück (für uns) linear in die Verluste ein.
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Über den ESR von MLCC ist in den Datenblättern oft wenig zu finden, nervt ein bisschen!
Werde die Tage mal ein paar High-Cap Typen vermessen - hoffentlich finde ich was passendes im Labor. Die 10mR halte ich im Übrigen für durchaus realistisch.
Update: Induktivitäten von Coilcraft sind da! MosFETs von Onsemi sind vor Ort! Die LT-Chips sind auch schon länger hier... was fehlt? (-> Zeit für den Rest)
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Große 1210 X7R und niedriger Spannungsfestigkeit haben durchaus unter 5mOhm.
Taiyo Yuden 16V/47µ/1210 haben bei Raumtemperatur und 12V gemessen ~2mOhm.
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Hab heute tatsächlich noch was gemessen.
Meine Taiyo Yuden 10u/25V/1210/X7R zeigen sogar etwas weniger als 2mR. Allerdings bei einem DC-Bias von 0V - ist der Frequenzgang/ESR auch von der angelegten DC-Spannung abhängig?
Hier ein Plot für 10u/25V/1210/X7R von reichelt (angeblich Murata):
Für den CKG57NX7T2J105M500JH (1uF/630V/X7R) von TDK messe ich 7.7mR@100kHz. - ganz beachtlich (der Preis auch...)!
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1uF 630V X7R ?
Das Ding muss ja aussehen wie ein Zuckerwürfel...
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Habs grad nochmal nachgesehen, es sind 1uF/630V/X7T.. und es sind eigentlich 2 gestapelte Einzel-Kondensatoren.
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weiter gehts mit den Induktivitäten:
Die Coilcraft:
Zwei Alternativen von Wuerth:
Bauform 1890
Bauform 1890
@voltwide: Deinen Drosselvorschlag von Wuerth (WE7443331000) hab ich auch hier liegen, aber die sind mir zu "klein", Isat=8A ist für meinen Geschmack einfach zu knapp.
Die Coilcraft ist vergleichsweise dick und schwer, viel Ferrit - weniger Kupfer.
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Alles eine Frage des Preises!
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Die Induktivitäten die ich bisher in den Fingern hatte unterscheiden sich nicht viel...Bourns, Coilcraft, Würth...
Beim Verhältnis Kupferquerschnitt/Induktivität/Baugröße kommt keiner von den Herstellern recht weit aus, auch wenn sie oft was anderes behaupten.
Vishay hat welche aus Metallpulver, die hab ich noch nicht getestet. Allerdings hat der Vertreter behauptet bei 40K Temperaturerhöhung schaffen sie den doppelten DC-Strom von einer Würth-Drossel...wo der in die gleiche Größe den vierfachen Kupferquerschnitt unterbringt....oder die Anzahl der nötigen Windungen um den Faktor vier reduzieren kann hab ich ihn dann nicht gefragt...
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Zitat:Original geschrieben von E_Tobi
Die Induktivitäten die ich bisher in den Fingern hatte unterscheiden sich nicht viel...Bourns, Coilcraft, Würth...
Beim Verhältnis Kupferquerschnitt/Induktivität/Baugröße kommt keiner von den Herstellern recht weit aus, auch wenn sie oft was anderes behaupten.
Vishay hat welche aus Metallpulver, die hab ich noch nicht getestet. Allerdings hat der Vertreter behauptet bei 40K Temperaturerhöhung schaffen sie den doppelten DC-Strom von einer Würth-Drossel...wo der in die gleiche Größe den vierfachen Kupferquerschnitt unterbringt....oder die Anzahl der nötigen Windungen um den Faktor vier reduzieren kann hab ich ihn dann nicht gefragt...
Für doppelte Strombelastung gehe ich aus von
A = A/Wurzel(2)
n = n/Wurzel(2)
Die Strombelastung dieser Drosseln ist imho vor allem durch die Kernsättigung vorgegeben. Und da könnte Eisenpulver (Vishay) gegenüber Ferrit im Vorteil sein.
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Der Erkenntnisgewinn dieser Messung ist auch nicht gigantisch, wollte nur mal vermelden dass ich weiter daran arbeite - wenn auch nicht intensiv.
Ich hab noch eine etwas kleinere (Abmessungen, Stromtragfähigkeit) Induktivität vermessen, deren eigenresonanz liegt noch etwas höher.
Wirklich interessant wäre wohl eine Untersuchung des Sättigungsverhaltens, aber die Messung ist mir grad zu aufwändig.
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Zitat:Original geschrieben von voltwide
Für doppelte Strombelastung gehe ich aus von
A = A/Wurzel(2)
n = n/Wurzel(2)
Naja, zwei willkürlich gewählte Datenblätter:
http://www.vishay.com/docs/34247/lp50cea1.pdf
http://katalog.we-online.de/pbs/datashee...377010.pdf
Die Teile vom Vishay haben irgend eine Kühlung gekriegt die der Würth weggelassen hat, bei seiner Angabe....Jetzt sind mir beide unsympathisch
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... habe heute Schaltplan fertiggestellt. Es wird jetzt der LTC3807 + SI7288DP:
http://www.vishay.com/docs/65366/si7288dp.pdf
Frage: LT verwendet in der Beispielbeschaltung keine Gate-Vorwiderstände, bis jetzt hab ich 10R/0402 vorgesehen - Eure Meinung?
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In einer Versuchsschaltung hab ich die Infineon OptiMOS mit 1 Ohm Gatevorwiderstand getrieben, plus PNP zum ausschalten direkt am FET. Wenn das Layout gut ist sehe ich da (leider nur aus Erfahrung) kein Problem.
Musst du messen, wenns beim Millern nicht oszilliert passts. Eklig wirds wenn das L/C/R vom Ansteuerkreis den Mosfet ungewollt ein- und ausschaltet.
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Zitat:Original geschrieben von E_Tobi
In einer Versuchsschaltung hab ich die Infineon OptiMOS mit 1 Ohm Gatevorwiderstand getrieben, plus PNP zum ausschalten direkt am FET. Wenn das Layout gut ist sehe ich da (leider nur aus Erfahrung) kein Problem.
Musst du messen, wenns beim Millern nicht oszilliert passts. Eklig wirds wenn das L/C/R vom Ansteuerkreis den Mosfet ungewollt ein- und ausschaltet.
Welchen PNP hattest Du verwendet?
Was hältst Du davon beim LLC mit seinem konstanten Tastverhältnis das gate kapazitiv anzusteuern, so dass in der Sperrphase eine neg Spannung anliegt?
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