Die gibts sogar silberhaltig.
"Für das sogenannte kalte Löten von Leiterplatten ist ein elektrisch leitfähiger Zweikomponenten-Klebstoff mit Silberfüllung gedacht (SL 65)."
Quelle: 3M "Rite-Lock"
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Zitat:Original geschrieben von Rumgucker
Ich mag diese ganze Schmelzerei nicht. Warum verpresst man nicht einfach UV-härtenden Kleber?
Naja geht auch
anders
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Zitat:Original geschrieben von Rumgucker
Hab mal ein wenig rumgeguckt.
Was für ein Hype wegen dieser 3D-Drucker...
Teilweise sind das nur umgestaltete Getränkekisten mit billigster Arduino-Hardware und Tintenstrahldruckermechanik und kosten glattweg $ 5000,--.
Da schießen "kickstarts" wie blöd aus dem Boden. Und gehen genauso schnell auch wieder unter.Ganz viele 3D-Drucker (in tlw. wunderschönem Gehäuse) gingen nie in Produktion.
Jaja....
Wie war das noch gleich mit SiC und GaN?
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Zitat:Original geschrieben von Rumgucker
Hab mal ein wenig rumgeguckt.
Wie war das noch gleich mit SiC und GaN?
Guxtu Infineon...
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Ja, geben tuts das Zeug...aber ich glaub grad bei GaN ist das eine Blase die recht schnell platzen wird...
Naja, bald weiß ichs...
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GaN weiss ich nicht, aber bei SiC wird doch immer wieder die enorme Robustheit des Materials betont. Alles fud?
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Die SiC passen halt z.B. nicht zu "normalen" SNTs...vorher wurde die Erwartung geschürt mit hervorragenden Eigenschaften und breiten Einsetzbarkeit der neuen FET- und IGBT-Familien, aber in Wirklichkeit passen die Teile am besten zu Umrichtern und solchen Anwendungen...wer braucht 1200V
Abgesehen von den Dioden, die sind z.B. in Hochvoltigen Step-Downs wo man auf die Ladungsträgergeflutete Raumladungszone schalten muss schon echt vorteilhaft...und mittlerweile erschwinglich...
GaN wird, hab ich so das Gefühl, irgendwie in die gleiche Richtung laufen...sehr gut passend für bestimmte Anwendungen, aber nicht der absolute Siliziumersatz als das es im Moment verkauft wird...
Die Parasiten die einem das Leben schon bei Silizium-Schaltgeschwindigkeiten schwer machen verschwinden ja auch nicht einfach so nur weil man jetzt GaN hat...und die EMV-Grenzwerte werden auch nicht ausgehebelt, deswegen...
Und wenn man am Ende den GaN-Transistor wegen irgendwelchen Problemen nur so schnell schalten lassen kann wie den Si-Typ hat man fast nix gewonnen. Nur die geringeren Flussverluste und die reduzierte Eigenkapazität. Dafür handelt man sich Probleme damit ein die winzigen Dinger zu kühlen und muss auf die Avalanche-Fähigkeit verzichten die einem der Si-FET bietet...GaN schlägt mWn. einfach durch und ist hinüber.
Ach, weiß auch ned...abwarten und Tee trinken...
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hey, dass war mir auch alles neu - danke für die Info
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Nicht dass nochmal sowas passiert
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Schrauben sind geliefert worden... nun dürften die Portalflanken stark genug befestigt sein und ich kann weiterbauen.
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Ich
kann weiterbauen
.