R6 = 12k bringt folgende Regelung:
204V @ 0mA
202V @ 20mA
199V @ 30mA
Das ist ausreichend, denke ich.
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Ich bin leider nicht im Besitz von "fein gestaffelten" Varistorsets. Vielleicht findet sich was auf alten SNT-Platinen...
Wie ist die Frequenz und der Ausgangsripple?
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Mir juckt es in den Fingern, das mit einer ZD180 aufzubauen. Der Aufbau kann verdammt klein werden...
Aber erst muss ich mal an einen Simulationsrechner kommen. Leider frühestens um 21:00
.
--
Mit 330uH müsste alles ein wenig behäbiger werden und der Ripple grösser.
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Wie sieht es inzwischen mit der Abhängigkeit von der Eingangsspannung aus?
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Gatespannung????
Nur schnell noch....ohh.....hmm.....shit......na egal!
Nicht alles was funktioniert sollte es auch.
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Zitat:Original geschrieben von madmoony
Gatespannung????
Für ein Z-Diödchen ist bestimmt noch Platz...
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War ja auch nur um Guckis Spieltrieb einzudaemmen....
Nur schnell noch....ohh.....hmm.....shit......na egal!
Nicht alles was funktioniert sollte es auch.
Mit 100uH und 47uH arbeitet die Schaltung auch.
Die Regelung ist noch härter.
ABER: der Wirkungsgrad fällt. Bei 47uH wird der MOSFET heiß.
330uH waren von Kahlo also gut gewählt. Aber selbst damit komm ich nicht über 80%.
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"Mehr" ist bei der Spule besser. 680-1000uH. Unter 330uH klingelts - laut "Schmidt-Walter".
330uH bei 200V Ua/30mA und 20kHz ergibt dL von 1.3A
680uH bei 200V Ua/30mA und 20kHz ergibt dL von 0.9A
Schön wäre
680uH bei 200V Ua/30mA und 30kHz ergibt dL von 0.72A
Edit:
Nutzt du eigentlich HV-Spulen? Da hat mich Würth mal drauf aufmerksam gemacht.
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Naja, ich habs mir wieder hier angesehen:
http://schmidt-walter.eit.h-da.de/smps/aww_smps.html
Ue = 16V
Ua = 200V
Ia = 0.03A
f = 30kHz
Haken bei Vorschlag raus und dann kann man schauen.
Ich hab die Schaltung mal in Multisim eingegeben mit IRF740. Mangels Varistoren hab ich diese mit 330k||10nf, wie von dir vorher vorgeschlagen ersetzt. Allerdings eiert die Schaltung bei ~50V herum mit 50k Load. Probier ich mal eine andere Diode - jetzt MBR40250G.
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Zitat:Original geschrieben von christianw.
"Mehr" ist bei der Spule besser. 680-1000uH. Unter 330uH klingelts - laut "Schmidt-Walter".
330uH bei 200V Ua/30mA und 20kHz ergibt dL von 1.3A
680uH bei 200V Ua/30mA und 20kHz ergibt dL von 0.9A
Schön wäre
680uH bei 200V Ua/30mA und 30kHz ergibt dL von 0.72A
Edit:
Nutzt du eigentlich HV-Spulen? Da hat mich Würth mal drauf aufmerksam gemacht.
Schmidt-Walter hilft hier nicht sonderlich weiter. Dem ist es schnurz, wann und wie der Mosfet schaltet.
In unseren Schaltungen (Guckis und meiner) passt sich die Schaltfrequenz automatisch an die Drosselinduktivität an. Hohe Induktivität führt zu geringen Frequenzen, niedrige zu hohen Frequenzen. Die Ströme durch die Drossel sind bei kleinen und grossen Induktivitäten gleich (wenn die gleiche Last abgefordert wird).
Allerdings steigen bei höheren Frequenzen die Schaltverluste im Mosfet an (da öfter geschaltet wird). Also wählt man die Drossel so aus, dass die Schaltfrequenz nicht in den hörbaren Bereich fällt. Ich jedenfalls
.
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Ich verstehe.
Wird die im IRF820 vorhandene (Body) Diode in der Simulation berücksichtigt? Wähle ich in Multisim einen FET ohne diese, erreiche ich höhere Spannungen.