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Überstromabschaltung stelle ich mir folgendermaßen vor:
1.) die Klammerdioden - bei 12V natürlich Schottky
2.) Da die vmtl in kurzer Zeit überhitzen würden, muß eine passende Schmelzsicherung vorgeschaltet werden.
Bei Netzeingangsspannung sehen diese Dinge aufgrund der kleineren Ströme erheblich entspannter aus.
Das Conexelecztronic dürfte auch ein Festfrequenz-LLC sein -
natürlich hatten auch andere schon diese Idee.
Ich denke, dieses Konzept hat Zukunft!
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Zitat:Original geschrieben von voltwide
Wima MKP4 22uF/250V= (bedrahtet) gibt es bei Bürklin für 1,17?/Stück
Davon je einer parallel zu je einer Klammerdiode - und gut is
Leider Fehlanzeige - das waren nur 2,2uF zu diesem Preis
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Zur Abschätzung der erforderlichen Stützkondensatoren C6-C9 habe ich nun 1uH Zuleitungsinduktivität spendiert.
C6-C9 sollten in der gezeigten Dimensionierung ausreichen.
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Um die Resonanzfolienkondensatoren zu ersetzen wären also ca 10Elkos 3300uF/25V/3A8/14mR parallel zu schalten.
Man kann es drehen und wenden wie man will - die WechselStromtragfähigkeit bekommt man nur mit einer klobigen Kondensatorbatterie oder Elkobatterie zustande.
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Heute habe ich eine Pulsgeberschaltung basierend auf 2xLMC555 in Betrieb genommen.
Die Ausgangspuffer sind jeweils BC546/556.
Der GateÜbertrager ist ein Nanoperm-toroid mit 6Wdg trifilar (1xprimär, 2xsekundär). Die Wicklungsinduktivität wurde gemessen zu 950uH
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Um größere MOSFETs hinreichend schnell schalten zu können, müssen Kapazitäten schnell umgeladen werden können. Um dies zu simulieren, wurde an einer Sekundärwicklung gemessen mit 10nF Last.
Das Ergebnis ist enttäuschend: Die Umschaltzeiten liegen bei 300-400ns - das ist völlig inakzeptabel.
Auf der Suche nach der Ursache fiel der erste Verdacht auf die Streuinduktivität des gate-Übertragers.
Dieser Plot zeigt auf Kanal 1(gelb) die Sekundärspannung, auf Kanal 2 (blau) die Primärspannung.
Es wird klar: Der Übertrager ist es nicht, der den Puls versaut.
Vielmehr sind es die viel zu langsamen BJTs.
Rasches Umladen größerer Kapazitäten ist mit Standard-BJTs ein NoGo!
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Eine Simulation bestätigt dieses Resultat durchaus.
[IMG]
https://stromrichter.org/d-amp/content/i...fdrive.png[/IMG]
Links der Treiber mit BJTs, rechts mit komplementären MOSFETs.
Die MOSFETs arbeiten hier um Klassen besser.
Die waagerechte Stufe ist der Totzeit des NE555 geschuldet,
ich habe kein Modell des CMOS-Timer.
Wichtig sind die wesentlich höheren Flankensteilheiten mit MOS-Treibern.
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Vielen Dank!
Hab mal nachgesehen - unter Misc findet sich eben jener NE555, den ich in der Simu verbaut habe - keine Spur von der CMOS-Version
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Ich hab NE555 (normal) und auch TLC555, dessen Hilfe ausgibt: "an idealized 555 cmos timer"
Hier ist das Modell:
******************************************************************************
* TLC555 TIMER MACROMODEL ****************************************************
****************************************4/1/92*****************************DBB
* REV N/A ********************************************************************
******************************************************************************
* COMMON
* | TRIGGER
* | | OUTPUT
* | | | RESET
* | | | | CONTROL
* | | | | | THRESHOLD
* | | | | | | DISCHARGE
* | | | | | | | VDD
* | | | | | | | |
.SUBCKT TLC555 1 2 3 4 5 6 7 8
EREF 15 1 (8,1) .5
GSOURCE 8 3 (8,26) 12.5E-3
GSINK 3 1 (26,1) 67E-3
VD1 8 27 DC .8
VD2 28 1 DC .85
VREF 30 1 DC 1.2
C1 29 1 700E-15
RREF2 30 1 100E3
RREF 15 1 100E3
ROUT 3 1 100K
R1 6 1 500E9
R2 2 1 500E9
R3 8 5 75E3
R4 5 9 75E3
R5 9 1 75E3
R6 10 11 1E3
R7 13 14 1E3
R8 8 12 150E3
R9 4 8 500E9
R10 20 19 1E3
R11 16 17 1E3
R12 8 18 150E3
R13 8 21 150E3
R14 22 23 1E3
R15 8 26 150E3
R16 24 25 1E3
R19 7 1 500E9
R20 29 26 1E6
D1 1 11 DMOD
D2 12 11 DMOD
D3 12 14 DMOD
D4 1 14 DMOD
D5 18 17 DMOD
D6 1 17 DMOD
D7 18 19 DMOD
D8 1 19 DMOD
D9 21 14 DMOD
D10 21 25 DMOD
D11 1 23 DMOD
D12 18 23 DMOD
D13 26 25 DMOD
D14 1 25 DMOD1
D15 3 27 DMOD
D16 28 3 DMOD
E1 10 1 (6,5) 1000
E2 13 1 (2,9) 1000
E3 16 1 (15,12) 1000
E4 22 1 (15,21) 1000
E5 24 1 (15,18) 1000
E7 20 1 (4,30) 1000
M1 7 29 1 1 MOSMOD
.MODEL MOSMOD NMOS (LEVEL=1 KP=1 VTO=1 RD=5)
.MODEL DMOD D (RS=1E-6)
.MODEL DMOD1 D (RS=1E-6 IS=1E-9)
.ENDS
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merci beaucoup!
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Zurück zur Realität:
Die BJT habe ich nun rausgeschmissen und durch komplementäre source-Folger ersetzt.
In diesem Falle dieses P/N-Kanal Pärchen von ON-Semi:
NTGD4167C: Small Signal MOSFET 30V 2.6A 90 mOhm Dual Complementary TSOP-6
An 10nF fährt nun die Rampe von rund -10 bis +10V in 100ns durch.
Dies entspricht einem Gate-Verschiebestrom von
dI = C * dV/dt = 10nF * 20V / 100ns = 2Amp
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Zitat:Original geschrieben von Rumgucker
Süße Chips
Find ich auch, aber die beiden Reiskörner sind dir wohl angebrannt, wolltest uns wohl mit Sättigungsbeilagen beschlichtigen
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Das war wirklich nicht ganz einfach, weil die Füßchen mehr oder weniger frei über den dicken Durchkontaktierungslöchern schwoben.
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Ich versteh nicht, wie man mit einem Steuertrafo eine Totzeit hinkriegen will.
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Zitat:Original geschrieben von Rumgucker
Ich versteh nicht, wie man mit einem Steuertrafo eine Totzeit hinkriegen will.
Die Vollbrücke liefert 3 unterschiedliche Zustände:
+10V, Null oder -10V. Bei allen Zuständen sieht die Primärwicklung ein niedrige Quellimpedanz (Spannungssteuerung!)
Null kommt zustande wenn beide Halbbrückenausgänge simultan entweder "hi" oder "lo" ausgeben.
Genau das macht die Ansteuerung mit ihren zwei zeitversetzten Timern während der Totzeit - s. Simu.
Dann ist der Trafo primär kurzgeschlossen.
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