[Hoppenstett]

... bipolar hatte immer second breakdown ... und als großer Vorteil der Mosfets war, es nicht zu haben ... aber das war einmal ...

[Hoppenstett]

Zitat:Original geschrieben von Rumgucker

Dankeschön fürs Scannen.

Ich finde das ne Zumutung, dass das Buch mit keinem Wort auf Ube eingeht. Tietze/Schenk wird offensichtlich überbewertet

Wie auch immer... die Schwellspannungen beider BJT vermindern den Stromflusswinkel auf < 180°, weil in diesem großen Zwischenbereich von 1.4Vss weder der eine noch der andere BJT leitet - die berüchtigten "Übernahmeverzerrungen". Damit liegt C-Betriebsart vor.

... dann zeig mir doch mal ein Buch, indem analoge Audio-Endstufen als C-Betrieb bezeichnet werden ...

[voltwide]

Wozu diese Korinthenkackerei? Is doch nun schnurz, wo diese Definition in welchem Buch steht oder auch nicht. Definitionen sind nur Vereinbarungen und keine Naturkonstanten. Ich schlage mal vor, dass wir alles C-Betrieb nennen, wo die Ausgangsstufe Null Ruhestrom hat, und gut is.

[Rumgucker]

Zitat:Original geschrieben von Hoppenstett
... bipolar hatte immer second breakdown ... und als großer Vorteil der Mosfets war, es nicht zu haben ... aber das war einmal ...

Ein "das-war-einmal"-MOSFET BUZ15 von Siemens....



[d]1.5A bei 50V = 75 Watt statt 125 Watt [/d]

Verguckt!

2.5A bei 50V = 125 Watt

[Rumgucker]

Zitat:Original geschrieben von Hoppenstett
... dann zeig mir doch mal ein Buch, indem analoge Audio-Endstufen als C-Betrieb bezeichnet werden ...

Wie mb hab ich den Kram mal studiert. Ein paar zig Jahre früher als der mb-Schnösel aber offensichtlich mit gleichen Ergebnissen. Wir sind insofern lebende Fachbücher.

[alfsch]

AHEM......2,5 A bei 50V .....was doch etwa 125W geben sollte

....wie war das....mit dem db lesen können...?

[Rumgucker]

Zitat:Original geschrieben von alfsch
AHEM......2,5 A bei 50V .....was doch etwa 125W geben sollte
....wie war das....mit dem db lesen können...?

Hups.... verguckt

EDIT: ...habs korrigiert

[Rumgucker]

"It is shown that a phenomenon of second breakdown similar to that in bipolar transistors can occur in vertical power MOSFET's. A model for the phenomenon of second breakdown involving the avalanche multiplication of the channel current, the parasitic bipolar transistor, and base resistance is proposed."

Quelle: http://ieeexplore.ieee.org/xpls/abs_all....er=1482366


...der Parasit war aber doch immer schon da....

[voltwide]

Zitat:Original geschrieben von Rumgucker

"It is shown that a phenomenon of second breakdown similar to that in bipolar transistors can occur in vertical power MOSFET's. A model for the phenomenon of second breakdown involving the avalanche multiplication of the channel current, the parasitic bipolar transistor, and base resistance is proposed."

Quelle: http://ieeexplore.ieee.org/xpls/abs_all....er=1482366


...der Parasit war aber doch immer schon da....

Es ist bekannt, dass der parasitäre BJT die alten second-breakdown-Probleme mitbringt. Der ist aber im Vorwärts-SOA inaktiv,
kann also imho nicht die SOA-Kurven beeinträchtigen.
Er wurde allerdings auch zuweilen spezifiziert in den RBSOA-Kurven.

[Rumgucker]

Folgendes deckt sich mit der IRF-App-Note, die ich hier schon verlinkt hatte:

Zitat:Second Breakdown

In power MOSFETs, the term ?second breakdown? refers to a sudden reduction in a MOSFET's blocking-voltage capability followed by a loss of current control by MOSFET current. Although in most applications, MOSFETs are typically not subject to second breakdown. This potentially destructive condition can occur as a result of thermal hot spots or ?current focusing? in the silicon, which in turn are caused by the spurious activation of the MOSFET's parasitic BJT.

Normally, when the current attempts to self-constrict to a localized area, the increasing temperature of the spot will raise the resistance of the spot due to a positive temperature coefficient, and will redistribute the current away from the hot spot.[1] This attribute facilitates parallel operation of multiple MOSFETs.

However, applications like programmable resistors and Class A, AB amplifiers cause the power MOSFETs to operate in their linear region, where they must dissipate higher power levels than in the more common on-off switching. In such cases, the current focusing and hot spots may not be self-correcting, which can lead to device failure.

In the linear mode, a power MOSFET is subjected to high thermal stress due to the simultaneous occurrence of high drain voltage and current resulting in high power dissipation. When the thermo-electrical stress exceeds some critical limit, thermal hot spots occur in the silicon causing the device to fail.[2]

Quelle: http://powerelectronics.com/power_semico...nd_stress/

[Rumgucker]

ich sag mal, wie ichs verstanden hab:

Der normale BJT-"second-break-down" entsteht durch thermische Instabilitäten bei hohen Temperaturen und hohen Spannungen. Wesentlich, weil Ube sinkt.

Bei MOSFETs sollte die Schwellspannung eigentlich steigen und der Explosion entgegenwirken. Tut sie aber nicht unbedingt wegen der möglicherwiese ungleichen Temperaturverteilung.

Ist das der Kern der neuen MOSFET-SOA-Kurven?

[Rumgucker]

Der von kahlo und mir heiß verehrte 2SK2611 zeigt uns ein "altes" SOA-Diagramm . Da ist allerdings der Bahnwiderstand auch sehr hochohmig. Ist ja ein HV-MOSFET.

Möglicherweise tritt das Phänomen nur bei besonders niederohmigen MOSFETs auf?

[voltwide]

Zitat:Original geschrieben von Rumgucker

ich sag mal, wie ichs verstanden hab:

Der normale BJT-"second-break-down" entsteht durch thermische Instabilitäten bei hohen Temperaturen und hohen Spannungen. Wesentlich, weil Ube sinkt.

Nein, das Phänomen der Leistungsabnahme bei höherer Betriebsspannung ist nicht zu erklären mit dem Tk von VBe,
sondern mit der Ausbildung von Hotspots über dem chip.
Und die können nur dann entstehen, wenn die Leitfähigkeit zunimmt über der Temperatur.

Die Qualitätsunterschiede der alten BJTs waren von daher ein technoligisches Problem: Je homogener das Material, desto geringer die Chance zur Ausbildung von hot spots. RCA mit der damaligen hometaxial Technologie waren SGS-Ates, Siemens und TI weit überlegen.

[Hoppenstett]

Ich dachte der second breakdown resultiert aus einer Zunahme von R[SUB]thJC[/SUB] bei hohen Spannungen ...
... oder steigt er erst wenn auch noch Strom fließt ...
... heißt jetzt auch Z[SUB](th)JC[/SUB] - ºC / W

[Hoppenstett]

Zitat:Original geschrieben von voltwide

Wozu diese Korinthenkackerei? Is doch nun schnurz, wo diese Definition in welchem Buch steht oder auch nicht. Definitionen sind nur Vereinbarungen und keine Naturkonstanten. Ich schlage mal vor, dass wir alles C-Betrieb nennen, wo die Ausgangsstufe Null Ruhestrom hat, und gut is.

Nein. C-Betrieb kann man vielleicht schlechtes Class-D nennen, ;up aber nicht schlechtes Class-B. ;nono

[voltwide]

ich gebs auf!

[Rumgucker]

Zitat:Original geschrieben von voltwide
ich gebs auf!

Naja... Hoppi hat zwar seine Härten......

....aber dieses Problem mit dem second-breakdown beim MOSFET war schon hochinteressant, denke ich.

Wir sollten mal wirklich suchen, ob wir in neueren Büchern "Class C" in Verbindung mit Gegentaktendstufen finden.....

[Rumgucker]

Nächster Anlauf:

Class A
100% of the input signal is used (conduction angle Θ = 360° or 2π


Class B
50% of the input signal is used (Θ = 180° or π; i.e., the active element works in its linear range half of the time and is more or less turned off for the other half).

Class AB
Class AB is intermediate between class A and B

Class C
Less than 50% of the input signal is used (conduction angle Θ < 180°)

Quelle: http://en.wikipedia.org/wiki/Electronic_amplifier

--------------

Und dabei bleibt es jetzt. Wenn Du diese Nomenklatur nicht magst, so ist das Dein Problem, Hoppi. Die in Tietze/Schenk abgebildete Gegentaktschaltung mit realen BJT ist "Class C".

[Rumgucker]

...andererseits bezeichnet das gleiche Wikipedia trotzdem pushpull mit Übernahmeverzerrungen ausdrücklich als "Class B" ..... Oh Mann!

[voltwide]

Deswegen schlug ich ja vor, unseren eigenen Sprachgebrauch fest zu legen.
Widersprüchliche Definitionen finden sich immer, das Internet gibt keine eindeutigen Antworten.