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Mit einer realistischen Beschreibung der gesättigten Spulen des Verstärkers wäre eine Simulation interessant. Die wahre Belastung des HF-Generators herauszubekommen und die Abstimmung der Spulen hinzukriegen, das wäre was!
Mit der derzeitigen Beschreibung von L7 und L8 ( Hc=5 Bs=0.3 Br= 0.2 A=0.0004 Lm=0.16 Lg=0 N=2000 Rser=6 ) ist ein Output erkennbar, aber unbefriedigend.
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Ha ,hab mir schon 4 gleiche Drosseln besorgt
fast die gleichen wie du Gucki,meine haben 0,42mH pro Wicklung.
Da bin ich ja mal gespannt....
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kahlo, die irf740 werden im royer nicht lange leben...
+ real...eher irfbe30
Don't worry about getting older. You're still gonna do dump stuff...only slower
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Ich weiss
. 1ms vielleicht. Ich hab keine Modelle, die 1,5kV abkønnen...
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nach meinen Simulationen hat diese Schaltung die unangenehme Eigenschaft,
dass bei Überlastung die Schwingung abreißt,
und dann beide MOSFETs voll durchgesteuert werden:
Kernschmelze!
Ne bewährter Alternative: elektronische Halogen-Vorschaltgeräte als HF-Generator - ist kurzschlussfest.
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Wenn du da einen Sinus herausbekommst und der Ringkern am Ausgang NF abkann.
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Ja irgentwas ist ja immer.....
ansonsten sind die Dinger super,aber Sinus ist das meist nicht...
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"Rser=6" ist für die jetzigen Spülchen etwas hochohmig. Die liegen eher bei 1/10.
mad: wenn Du nur so kleine Spülchen verwendest, dann kommen da natürlich auch nur so rund 20 Watt raus. Dafür sollte man den LM3886 als Booster für irgendeinen Tongenerator nehmen. Zum Test.
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Ja,das ist der Plan,ich haette gerne nur eine Vorstufe mit einem BF245.....classA
sollte doch reichen??
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Die Vorstufe muss möglichst hohe Spannungen liefern. Je mehr, desto weniger klirrt es. 100Vss sind besser als 10Vss und beides ist schlechter als 200Vss.
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Ja gut,aber ueber wieviel klirr reden wir?
Die Drosseln alleine werden schon klirren,da wird der Ansteuerintroduzierte klirr gering gegen sein.
BF245 ist gut fuer max 30 Volt,also max 25Vss Signal....ist doch schonmal was
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So muss zum meeting...bis ~ 11 uhr;kotz
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Kann man nicht beide Windungen in reihe schalten um die ansteuern,waerent der output mit der diode an der Anzapfung haengt und nur eine Wicklung benutzt?
somit kann ich hochohmiger ansteuern..
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Dann brauchst Du auch mehr Steuerspannung. Und außerdem hast Du höhere Induktivitäten, was auch nicht gut ist.
Es ist ja wichtig, dass der vom Diodenstromfluss zuvor gesättigte Kern wieder entsättigt wird. Man kann sich vorstellen, dass bei den in den kleinen Kernen vorhandenen wenigen Magnetteilchen schon wenige Milliampere genügen. Aber zumindest die müssen schnell fließen und genügend lange wirken.
Wenn Du ganz seriös vorgehen willst, dann vermisst Du Kern und Spule mit der Sutaner-Schaltung. Da sieht man den Stromfluss bis zur Sättigung/Entsättigung und die Kernqualität ganz direkt.
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Zitat:Original geschrieben von kahlo
Wenn du da einen Sinus herausbekommst und der Ringkern am Ausgang NF abkann.
ja, berechtigter Einwand. Ich halte es für möglich, so ein mehr in richtung Resonanzwandler = besserer Sinus laufen zu lassen.
Allerdings kann der Ringkern mit Sicherheit keine NF-Wellen.
Ich hab nicht verstanden, weshalb diese riesige 2Henry Drossel in der Betriebsspannungzuleitung liegt - kann mir da jemand auf die Sprünge helfen?
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Zitat:Original geschrieben von madmoony
Ja gut,aber ueber wieviel klirr reden wir?
Die Drosseln alleine werden schon klirren,da wird der Ansteuerintroduzierte klirr gering gegen sein.
BF245 ist gut fuer max 30 Volt,also max 25Vss Signal....ist doch schonmal was
Warum unbedingt JFET? Bipolare Video Transistoren wie BF420..
liefern auch Konstantstromausgang und können 250V Sperrspannung.
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Ok,so langsam fuellt sich das Bild....
Zu der 2H Drossel...wenn die Ub schneller anliegt als die 15 Volt dann raucht es.
Daher auch nur 100nF ueber die Z-Diode.
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Ich zittiere mal:
MOSFET-Royer-Oszillator mit hocheffizienter Gateansteuerung
Der Trick der Schaltung besteht darin, dass die Dioden durch N-Kanal-MOSFETs ersetzt wurden, die mit einer festen Gatespannung von z.B. 18 V versorgt werden. Bei Drainspannungen unter ca. 12 V sind diese Steuer-MOSFETs bidirektional leitend und verbinden die Gates von T1 und T2 mit dem Drain des jeweils anderen MOSFETs. Im Nulldurchgang der Schwingkreisspannung können die Gates von T1 und T2 nun niederohmig und dementsprechend schnell umgeladen werden. Sobald die Drainspannung von T1 oder T2 jedoch auf über ca. 15 V steigt, beginnen die Steuer-MOSFETs zu sperren und trennen die Gates vom Lastkreis. Da die Gateladung von T1 und T2 nun vollständig dem Lastkreis entnommen wird, ist keine zusätzliche Hilfsleistung mehr erforderlich. Lediglich die Gatespannung von T3 und T4 muss leistungslos zur Verfügung gestellt werden, was sich aber mit Widerstand und Zenerdiode leicht realisieren lässt. Da T3 und T4 nur den Gatestrom von T1 und T2 liefern müssen, können sie wesentlich kleiner ausfallen als diese und müssen i.d.R. Auch nicht gekühlt werden. Sie müssen allerdings die gleiche maximale Drain-Source-Spannung vertragen wie diese. Eine Besonderheit dieser Schaltung, die es zu beachten gilt ist, dass Die Gatespannung von T3 und T4 nicht später angelegt werden darf als die Betriebsspannung. Da die Gatespannung über R1 und C1 etwas verzögert wird, könnte die Inbetriebnahme der Schaltung, wie sie oben abgebildet ist, bereits Probleme bereiten. Steigt die Gatespannung von T3 und T4 zu langsam an, während die Betriebsspannung bereits anliegt, bekommen T1 und T2 bereits eine Gatespannung, bevor T3 und T4 richtig durchschalten um eine ausreichende Mitkopplung zu ermöglichen. T1 und T2 schalten dann voll durch, ohne dass eine Schwingung einsetzen kann. Folge ist ein Kurzschluss der Betriebsspannung. Idealerweise legt man die Gatespannung von T3 und T4 fest an und schaltet dann die Betriebsspannung bei Bedarf ein. Soll die Leistung des Oszillators geregelt werden, kann man einfach einen Buck-Konverter vorschalten. Die Drossel Dr kann dabei die Funktion der Speicherdrossel mit übernehmen. Prinzipiell ist es sogar möglich, dass der Regler mit einer anderen Frequenz arbeitet, wie der Oszillator. Um gegenseitige Rückwirkungen zu vermeiden, sollte die Drossel dann aber eine ausreichend hohe Induktivität haben.
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