Alfsch und voltwide sind ja der Meinung, dass MOS die richtigen Halbleiter für sowas sind.
Ich glaube das nicht (so ohne Weiteres).
MOSFETs haben Eingangskapazitäten mit vielen hundert pF. Wenn man die nicht mit irgendwelchen Spülchen kompensiert, so kann man mit 50 Ohm Quellwiderstand keinen Blumentopf gewinnen: die Eingangsspannung sinkt schon bei kleinen Frequenzen rapide in den Keller.
Trotzdem sind MOSFETs mit vielen Vorteilen ausgestattet.
Wenn man sich denen aus HF-Sicht nähern will, so muss man sich mit deren parasitären Eigenschaften vertraut machen und diese kompensieren.
Kurzum: HF- und Breitband-Amps werden ganz anders konstruiert als ich das bisher gesehen hab. Der User Chocoholic hatte uns das mal vor Urzeiten vorbildhaft vorgemacht, wie toll man mit MOSFETs "spielen" kann.
Also erste Fingerübung würde ich vorschlagen, dass wir nur mal versuchen, einen Power-MOSFET mit konstanter Gate-Spannung zu versorgen... über einen weiten Frequenzbereich hinweg. Wir werden unser blaues Wunder erleben.
Wenn ich so nen ollen IRF530 allseits mit Masse verbinde und nur das Gate aus einer 50Ohm-Signalquelle betreibe, so erreiche ich gerade mal 2MHz, bis die HF durch die MOSFET-Eingangskapazität einbricht.
Diese Kapazität muss nun kompensiert werden.
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Koenich...die 100MHz halte ich fuer zu hoch angesetzt....
Du willst ja schliesslich Magamp Spulen treiben und nicht Senden....
reichen ehrliche 2MHz nicht auch?
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dazu wäre aber eben ein Ziel interessant... Wäre ein Endergebnis vergleichbar
hierzu passabel?
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Hmmmmm......
Grundsätzlich ist es richtig, einen Blindwiderstand mit einem gegensätzlichen Blindwiderstand zu verbinden um so auf einen realen (frequenzunabhängigen) Widerstand zu kommen.
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Nee Schnarchsack
das ist nicht zielfuehrend,da der Kapazitive Teil zwecks Ansteuerung mit einer "konstanten Spannung" ueber den Frequenzbereich gefuettert werden muss.
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Zitat:Original geschrieben von Rumgucker
Hmmmmm......
Grundsätzlich ist es richtig, einen Blindwiderstand mit einem gegensätzlichen Blindwiderstand zu verbinden um so auf einen realen (frequenzunabhängigen) Widerstand zu kommen.
Solche Lösungen funktionieren immer nur schmalbandig, d.h im Resonanzbereich.
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Jetzt mal nicht lachen.....aber wenn wir einen D-Amp nehmen und den bei 800MHz takten lassen haben wir bei 100MHz immerhin 8 Stuezstellen und das fuehrt zu ertraeglichem Sinus....ob es 10% klirr erreicht glaub ich zwar nicht,aberja...
800MHz takt macht heute die Compi Branche mit links,und die PWM ist auch einfacher als der 0-MHz Linearverstaerker...
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Zitat:Original geschrieben von madmoony
Jetzt mal nicht lachen.....aber wenn wir einen D-Amp nehmen und den bei 800MHz takten lassen haben wir bei 100MHz immerhin 8 Stuezstellen und das fuehrt zu ertraeglichem Sinus....ob es 10% klirr erreicht glaub ich zwar nicht,aberja...
800MHz takt macht heute die Compi Branche mit links,und die PWM ist auch einfacher als der 0-MHz Linearverstaerker...
Auch hier sind die Gate-Kapazitäten umzuladen, ob nun linear oder geschaltet
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Achso... bei den MOSFETs handelt es sich um spannungsgesteuerte Bauteile. Deswegen hab ich den Parallelkreis verwendet.
Hätte ich nen BJT genommen, so hätte ich mit der Basis ein Spülchen in Reihe geschaltet, weil der BJT ein stromgesteuertes Bauteil ist.
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Zitat:Original geschrieben von Rumgucker
Hier sieht man schön, was so ein wenig HF-Schnickschnack zu leisten im Stande ist:
![[Bild: 1_booster7.png]](https://stromrichter.org/d-amp/content/images/1_booster7.png)
Bei der roten Kurve haben wir die Eingangskapazität korrekt mit 500nH kompensiert und der Amp kommt glattweg doppelt so hoch.
Nun muss auf gleiche Weise die Ausgangskapazität kompensiert werden und wir erhalten einen echten Breitband-Verstärker.
Das ist übrigens genau der Grund, warum in Oszi-Diff-Amps alle naslang so kleine Spülchen verbaut sind.
Diese Technik ist mir auch noch wohl vertraut. Allerdings ist die Bandbreitenerhöhung mit der Spule nach meiner Erinnerung bestenfalls Faktor 2, also nicht so weltbewegend.
Es ist durchaus erhellend mal durchzurechnen, wo die Transitfrequenz eines solchen MOSFETs liegt:
Ft = Vorwärtssteilheit/2*pi*Cgate
Bei Ft ist die Stromverstärkung des MOSFET auf 1 abgefallen.
Mithilfe dieser Relation sollte es möglich sein, wesentlich bessere MOSFETs als dieser alten IRFs zu finden (z.B. bei Infineon)
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Zitat:Original geschrieben von voltwide
Solche Lösungen funktionieren immer nur schmalbandig, d.h im Resonanzbereich.
so hatte ich das auch im Hinterkopf...
warum eigentlich MOS? wären BJTs nicht sinnvoller?
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Zitat:Original geschrieben von Rumgucker
Zitat:Original geschrieben von woody
warum eigentlich MOS? wären BJTs nicht sinnvoller?
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