[Hans Dorn]

Das Datenblatt gibt allerdings nur die minimale Durchbruchspannung an...

[voltwide]

So ist es. Du wirst auch nirgends eine garantierte Durchbruchspannung finden. Die werden nun mal als MOSFETs verkauft, nicht als Z-Dioden.

[voltwide]

Zurück zum Ausgangsthema -
neben dem Temperaturproblem gibt es auch ein Paarungsproblem beim Parallelschalten von MOSFETs, bedingt durch unterschiedliche gate-Schwellspannungen.
In der Praxis ist die Unbalance oft so groß,
dass die Leistung mehr oder weniger vollständig in einem der beiden PowerMOSFETs verheizt wird.
Beide Probleme werden im einfachsten Fall entschärft durch zusätzliche Widerstände in der source Leitung ("Stromaufteilungswiderstände")
Als Hausnummer würde ich den Wert so einstellen, dass bei Maximalstrom wenigstens 2V darüber entfallen.
Beispiel: Bei 2A Maximalstrom wären das 1A/MOSFET und daher 2 source-Widerstände zu jeweils 2 Ohm.

[Hans Dorn]

Immer schön aufpassen, sonst hast Du nachher Mosh-FETs.

;baeh

[Rumgucker]

Zitat:Original geschrieben von voltwide
Die meisten MOSFET sollten damit kein Problem haben, d.h.
damit hast Du eine "Zener"-Diode die Du mit der vollen Verlustleistung des MOSFET belasten kannst. (S. Herstellerangaben SOA, avalanche ratings)

Irgendwas hab ich von "parasitärem Transistor" im Kopf....

[Hoppenstett]

... früher hätte ich das einfach bei den Herstellern nachgefragt ...

[Rumgucker]

...da waren die Chipmacher auch noch ne Unterabteilung des örtlichen Glasbläsers...

[Rumgucker]

Warum probierst Du es nicht einfach mal aus?

Ist ein MOSFET eine Zenerdiode, oder nicht. Und wenn "ja"... wie siehts mit dem dyn. Innenwiderstand usw. aus.

Das ist doch in 10 Minuten durchgemessen.

[Hoppenstett]

... das war doch gar nicht die Frage ;deal2

[alfsch]

..die frage ist, wie lange wir mit einer sinnlosen oder unverständlichen frage rumblödeln.... ;deal2

[Rumgucker]

Zitat:Original geschrieben von Hoppenstett
... das war doch gar nicht die Frage ;deal2

Wirklich nicht?

http://include.php?path=forum/showthread...&entries=9

[Hoppenstett]

Zitat:Original geschrieben von voltwide

Zitat:Original geschrieben von Hoppenstett

Die Verwendung von Mos-Fets z.B. IRF610 ... IRF840 als HV Z-Diode, ist das dauerhaft möglich? ... welche Nachteile hat dies?

Das läuft auf Avalanche-Durchbruch hinaus.
Die meisten MOSFET sollten damit kein Problem haben, d.h.
damit hast Du eine "Zener"-Diode die Du mit der vollen Verlustleistung des MOSFET belasten kannst. (S. Herstellerangaben SOA, avalanche ratings)

Voltwide hat die Frage schon beantwortet. Unklar ist (mir) nur ob mit Avalance-Effekt beim Mos-Fet nicht doch der Durchlassbereich der Diode gemeint ist, im Gegensatz zur Z-Diode wo sich dies auf den Sperrbereich bezieht.

Ein Mos-Fet ist Drain-Source mäßig eine vollwertige Gleichrichterdiode, wäre er dies auch als Z-Diode?
... natürlich hätte man ein neues Thema "MOS-FET als Z-Diode?" aufmachen können ...

[alfsch]

http://www.youtube.com/watch?v=yDupMbqy88g

[Rumgucker]

Immer wieder köstlich

[Hoppenstett]

... was ist das hier eigentlich für ein Forum

Dieser Sketsch ist dank schwarzem Balken, sogar Jugendfrei

http://www.youtube.com/watch?v=hRhf98aKsto

[voltwide]

[voltwide]

Zitat:Original geschrieben von Rumgucker

Irgendwas hab ich von "parasitärem Transistor" im Kopf....

Kein gutes Omen, da hilft auch der Helm nicht mehr viel

[Rumgucker]

Har!