[acka]

Hey,

in Applikationen des Gatetreibers findet man immer wieder eine Schottkey die den Gatewiderstand beim Entladen überbrückt. Werden dabei nicht die 1A PulsCurrent überschritten?

Hat den Treiber schon mal jemand verwendet?

MfG Jan

[alfsch]

http://d-amp.org/include.php?path=forum/...readid=309

[Korona]

Ich will den alten Thread nicht wieder ausbuddeln.
Könnte man das ganze anstatt mit Dioden auch mit Snubberkondensatoren parallel zu den Fets machen?

[voltwide]

Ich verstehe nicht recht, was das eine mit dem anderen zu tun hat

[acka]

Danke, das war schon mal sehr Aufschlussreich. Jedoch, meine Frage bezieht sich eher auf absolute Werte.Mit welchem Strompeak muss ich beim Entladen über die Diode rechnen. Es müssten doch höhere Ströme als das eine Ampere , wie es im Datenblatt angegeben ist auftreten oder nicht?

MfG Jan

[alfsch]

Zitat:Original geschrieben von acka
Mit welchem Strompeak muss ich beim Entladen über die Diode rechnen. Es müssten doch höhere Ströme als das eine Ampere , wie es im Datenblatt angegeben ist auftreten oder nicht?

nee
steht doch im db: der treiber kann max 1A rauswürgen...das wars.
-> sollte dir sagen: bei 12V / 1A -> 12 ohm innenwiderstand des treibers

[acka]

Klar, aufladen ok. Aber Gate über Diode entladen, bedeutet doch im Prinzip 12V Gatekapazität über Gatewiderstand vom FET dann Diode und dann? In der Simu passt es, die Ströme werden nie größer als 1A, kanns mir nur nicht genau erklären :-/
Genausowenig warum ich nur ne Treiberausgangsspannung von 12V habe, obwohl die VB auf ca 14V liegt und im Datenblatt.... bzw was ist der Unterschied im Datenblatt zwischen VHO und VOH ?? VB-VOH = 2V kommt ja widerrum hin.
Oh man

[Rumgucker]

Zitat:Original geschrieben von acka
Klar, aufladen ok. Aber Gate über Diode entladen, bedeutet doch im Prinzip 12V Gatekapazität über Gatewiderstand vom FET dann Diode und dann?

So ganz verstehe ich das nun nicht. Wenn ein leeres Gate mit 12V über einen IR2110 mit 12 Ohm Quellwiderstand geladen wird, dann fließt nur 1As. Wenn danach das auf 12V aufgeladene Gate vom gleichen IR2110 über 12 Ohm gegen Masse entladen wird, dann fließt 1As in umgekehrter Richtung.

Also wird die 12V Gatekapazität über die Diode und dann den im IR2110 enthaltenen 12 Ohm Quellwiderstand gegen Masse entladen.

Die 12 Ohm sind sozusagen fest im IR2110 "eingebaut"!

[acka]

Sind denn die Lade und Entladewiderstände gleich? Es sind schließlich auch unterschiedliche Rise und Fall Zeiten angegeben?

[Rumgucker]

Die MOS-Strukturen am Ausgang des IR2110 sind symmetrisch ausgestaltet. Also gleiche Innenwiderstände.

Die unterschiedlichen Zeiten haben andere Ursachen und sind nicht lastabhängig. Denn wenn der Hersteller die Zeiten lastabhängig meinen würde, so müsste er die Last (Kapazität, Widerstand, Schwellwert) genau spezifizieren. Wie will man sonst eine Zeit angeben, wenn man einmal 1uF und einmal 1pF an den Quellwiderstand ranhängen dürfte?

[kahlo]

Wieso diskutiert ihr nicht über den angefragten IR2011 ?

[Rumgucker]

Hups... wär ja auch mal ne Idee...

[Korona]

@voltwide
Ich dachte dass man die negativen Induktiosspitzen evtl auch mit Kondensatoren abfangen könnte anstatt sie kurzzusschließen.

[voltwide]

Ich weiß immer noch nicht so recht worum es hier geht. Falls Deine Frage in die Richtung geht, wie man den IR2110 gegen neg. drain-Spannungsspitzen (lo-side) schützen soll, sehe ich erstmal keinen Zusammenhang zur Widerstands-Dioden-Kombination vor den MOS-gates.

[kahlo]

Zitat:Original geschrieben von kahlo
Wieso diskutiert ihr nicht über den angefragten IR2011 ?

[alfsch]

...weils bzgl der fragen dasselbe ist...nur halt 0,5A bzw 2A