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Zeilentrafo als Tesla-Spule? Interessiert mich!
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..ich hätt noch nette IGBTs hier:
SKM200GB125 , 1200 V , 290 A , 580 A peak
Don't worry about getting older. You're still gonna do dump stuff...only slower
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Ich dachte die IGBTs brauchst Du noch für die Motorsteuerung der Schmalspur Elektro-Lok (Projekt: Förderung von Reinst-Cu)
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@ voltwide
woraus setz sich die Kapazität zusammen? im Prinzip doch beide DS Strecken oder?
MfG
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Ja, im wesentlichen sind die Ausgangskapazitäten der PowerMOSFETs zu betrachten.
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Naja die Ausgangskapazitäten spielen bei Fets ja weniger eine Rolle als die Eingangskapazitäten ;-)
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Nö!
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Wie darf man das verstehen?
Ich glaube, dass wegen schlechter Gatesignale bedingt durch die Kapazität schon mehr Fets gestorben sind ;-)
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In diesem Kontext mag das wohl zutreffen. In anderen Zusammenhängen, z.B bei Betriebsspannungen von mehreren 100V, kann die Ausgangskapazität schon interessant werden.
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Ich stimme Dir zu unter der Bedingung dass Du den HiSide MOSFET abschaltest
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hm?
Wenn der mittlere Strom doch aus der Brücke rausfliest (also in meinem Sinne positiv ist,und sich noch nicht ändert sondern nur abnimmt) gibt es doch beim Übergang -> Low off / High on das Problem oder?
Bei High off/ Low on ist ja bei gleicher Stromrichtung die Induzierte Spannung sowieoso negativ also muss der Lowsidefet ohne Spannung schalten.
Wenn der mittlere Strom bei der Negativen NF Halbwelle seine Richtung ändert dreht sich dieses Senario um?
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Ich weiss nicht genau, was Du nun im ersten Teil exakt meinst.
Der zweite Teil mit Schlußfolgerung erscheint mir plausibel
Fangen wir bei der Terminologie an:
Ein Zyklus ist für mich 1x pos und 1x neg Halbwelle.
Aber auch innerhalb einer Halbwelle, wobei die Spulenspannung
konstant positiv oder null ist, ändert sich die Richtung des Spulenstromes.
Jedenfalls solange das Tastverhältnis nicht allzu unsymmetrisch ist.
Das ist mühselig zu erklären, und viel besser anhand einer Simu zu verstehen.
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Ja in der Tat. Simulation und Bilder sagen mehr und tragen deutlich zum Verständnis bei. Ich werde versuchen noch mal die Simulation zu befragen und eventuell ein Bild zu Posten.
Aus deiner Erfahrung. Ist es überhaupt realistisch, dass die Bodydiode des gegenseitigen Fets nicht leitend wird. Dazu müsste doch eine sehr geringe Totzeit vorherschen die warscheinlich zu Querstrom führen würde. Jedenfalls war es in meiner Simu so. Ich versuche morgen mal ein Bild davon zu Posten.
MfG Jan
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Das kann ich aus dem Bauch heraus auch nicht sicher beantworten.
Allerdings glaube ich, dass die eklig aussehenden Stromspikes, die
bei knapper Totzeiteinstellung allein aus dem Umladen der kapazitäten
rühren, allgemein überbewertet werden und von daher eher harmlos sind.
Um ganz sicher zu gehen, sollte man die MOSFETs auswählen nach geeigneten
®everse (B)iased (S)afe (O)perating (A)rea, mit einer Strombelastbarkeit über dem max Laststrom durch die Ausgangsdrosseln.
Leider bleibt das Theorie solange dies nicht von den Herstellern spezifiziert wird. Alles in allem eine ziemliche Grauzone
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