[Rumgucker]

Schon mal dran gedacht, daß Du vielleicht der sein könntest, der hier die Pappnase auf hat? Oder kommt Dir das vor lauter ätzender Überheblichkeit gar nicht in den Sinn?

Es ging um den Gegentakt-Sourcefolger!

Dabei sind beide Sources und beide Gates der komplemtären MOS miteinander verbunden.

Da MOS keine Speicherzeit kennen, steht der Kanal-Strom in direkter Abhängigkeit zur GS-Spannung.

Diese GS-Spannung kann aber niemals an beiden komplementären MOS zum gleichzeitgen Einschalten führen. Entwder leitet der eine. Oder es leitet der andere. Oder es leitet keiner.

Nun kapiert?

Mein Gott....

[alfsch]

bzgl:
"Ich kann auch überhaupt nicht verstehen, wieso eine Gegentakt-Source-Folgerschaltung überhaupt Querströme produzieren kann (wie Spice mir erzählen will). Ich verstehs einfach nicht! "

spice hat schon recht...
1. diese schaltung hat auch ne totzeit, wenn die steuerspg um 0v +/- 3v liegt, dann sind beide fet aus
2. bei induktiver last ist aber trotzdem weiterhin ein strom da, der schaltet jetzt eine back.diode im fet an
3. diese dioden haben rel.lange speicherzeit, dh, schaltet jetzt der andere fet ein, gibts nen querstrom diode-fet, bis die diode aus ist.

das 2. problem bei schnellem schalten eben...

[Rumgucker]

Sobald ich an den Source-Folger ne reine Wirklast anschalte, sind die Spikes weg!

Also scheint die Filter-Spule verantwortlich für die gleichzeitige Einschaltung beider MOS in der komplementären Source-Folgerschaltung.

Spannend, spannend, spannend....

[Rumgucker]

Sorry, alfsch. Ich hatte Deine Antwort nicht gesehen, weil ich zeitgleich meine Beobachtungen aufnotierte.

[Rumgucker]

An diesen pn-Dioden-Speichereffekt hatte ich gestern auch gedacht und parallel zu den MOS Schottky-Dioden geschaltet. Hat aber nichts gebracht.

[Rumgucker]

Zur Sicherheit hab ich eben noch mal in Reihe mit den MOS Schottky geschaltet und jeweils parallel eine Freilaufdiode. Dadurch verschwinden die Spikes auch nicht, obwohl jetzt doch wirklich die inverse pn-Diode nicht mehr anspringen kann.

[alfsch]

evtl schaltest du "zu schnell", auch aus den fet müssen die ladungsträger erstmal raus, ehe sie sperren; turn-off-delay ... ca 20ns

[Rumgucker]

MOS kennen keine Speicherzeit! Der Kanalstrom ist direkt abhängig von der GS-Spannung. Die ist allerdings abhängig von dem zur Verfügung stehenden Treiberstrom, der die Eingangskapazität umlädt. Ich nutze "anständige" Ströme um 2As.

Der Effekt muß mit der Induktivität zu tun haben!

Ich hab schon Schwingungen usw. ausgeschlossen. Ich werd gleich verrückt...

[alfsch]

naja, ich kann auch keine eindeutige lösung anbieten, aber vergiss nicht, das gate hat auch nen internen widerstand, dh der fet zeigt schon eine speicherzeit, da das gate im chip kurzzeitig nicht die gleiche spg haben kann, wie der gate anschluss aussen. die frage ist, ob das modell den internen gate widerstd drin hat..

[Rumgucker]

Ich hab eben die Gate-Spannung mit 1nF gegen Masse geblockt, um die slew-rate am Eingang deutlich zu senken. Aber Pustekuchen. Die Spikes sind weiterhin da!

Die treten nur bei der Übernahme durch den unteren P-MOS auf. Und sie treten auch nur bei negativer Vollaussteuerung auf.

Die freilaufende Spule scheint über die Sourcen beide MOS zum gleichzeitigen Einschalten zu bringen. Ich hab sie schon gedämpft. Es hat Null Wirkung.

---

Und dann muß man sich zu allem wissenschaftlichen Unglück auch noch von diesem bösen, einsamen im Torweg lauernden Andreas-Klugscheißer von oben bis unten mit dummdreister Ignoranz besudeln lassen....

Ich hab im Moment Lust, einem unschuldigen Lohnabhängigen grundlos zu kündigen.....

[Rumgucker]

Ich werde mir beide Modell mal rauszeichnen müssen, alfsch. Es kann ja nur so sein, wie Du vermutest: es müssen unterschiedliche Gate-Modelle beim P und N verwendet worden sein.

Mal schauen....

[Rumgucker]

Wenn ich parallel zur Spule 10 Ohm schalte, ist der Effekt komplett weg!

[Rumgucker]

Hab die Modelle überprüft: sind ok.
Hab die MOS gewechselt: keine Änderung.
Hab die ganze Treiberschaltung durch ne Rechteckquelle ersetzt: keine Änderung.
Hab die Flankensteilheit der Rechteckquelle manipuliert: keine Änderung.
Speicherzeiteneffekt der pn-Inversdioden: nein.

Ergebnis: sobald an der kompl. Gegentakt-Source-Folgerschaltung eine Induktivität dran hängt, fließen imense Querströme. Diese verschwinden schlagartig, wenn man die Induktivität mit 10 Ohm überbrückt.

Erklärung: keine!


So, mein lieber Andreas-Klugscheißer. Und nun bin ich ja mal auf Deine wichtigtuerischen Erklärungen gespannt.

Ich werde derweil schonmal checken, ob eine komplementäre BJT-Emitterfolger-Endstufe womöglich ganz ähnliche Probleme hat, wenn man sie nur genügend weit aussteuert.

[Rumgucker]

Die BJT-Endstufe zeigt das Phänomen eindeutig nicht:



Zum selbst gucken

[alfsch]

habe mal getestet: nette spikes mit 200a...
versuch: 2 getrennte r vor den gates, dann zeigt sich differenz der spg ,
genau hier sind beide fet an.
wenn die r nur 4 ohm haben, gibts den effekt schon.
und wie schon gesagt, poly-silicon hat nen widerstand, dh, die gate haben intern je nach typ 1 bis 7 ohm , soweit ich weis.
deswegen kann ein mosfet je nach aufbau auch nicht unendlich schnell sein,
abgesehen von den induktiven problemen in der realen welt.
zur klärung: der gate-spike kommt durch die gate-drain+source kapazitäten, die koppeln aufs gate zurück, was umso übler wird, je schneller der ausgang schaltet.

[alfsch]

grad gesehen:
du überfährst die armen fet!
wenn du die steuerspg auf +-40v reduzierst, verschwinden die spiikes.
wenn du sie überfährst, geht die backdiode an ...boing eben.
kein wunder

[Rumgucker]

Bei +/-50V Ub steuere ich mit 60Vs. Was ist daran falsch?

[alfsch]

mannomann,, was ist ein mosfet: gibt ein schönes artikelchen von irf dazu.
habe ich als buch, aber gibts als pdf.
50:60v : der obere fet wird rückwärts gefahren, die diode geht an...
anbei bild: +ub und der ausgang
klar?

[sixtas]

@alfsch
Sorry alfsch aber der Telegrammstil und die Grafik in deinem letzten Beitrag sagen mir leider nichts.
Geht es für einen Dummen etwas ausführlicher?
danke Mike

[Rumgucker]

Überhaupt nicht klar!!!! Bei mir geht der Ausgang natürlich nur von Masse bis +100V.



Woher soll denn mehr kommen????