04.04.2010, 11:13 PM
Da hat der Osterhase wohl mal wieder tief und fest gepennt 
...mit der Lizenz zum Löten!
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Präsentiere: carrotAmpD - ein energieeffizienter Klasse-D-Audioverstärker für den Einbau in Computer auf der Basis vo...
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04.04.2010, 11:40 PM
*soifz*
05.04.2010, 04:41 PM
Wenn Dir die Zeit des Abwartens lang wird, kannst Du Dir ein paper zum Thema reinziehen, dass ich 1998 verfasst hatte. Auch wenns nicht mehr aktuell ist, sind sicherlich Anregungen zu finden.
https://stromrichter.org/d-amp/content/i..._pwm98.pdf
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06.04.2010, 06:10 PM
Ich habe jetzt mal eine Halbbrücke mit den Dämpfern ausgestattet. Sind momentan 10ohm / 200pF. Im Gatesignal habe ich jetzt nur noch einen "Zacken". Morgen werden noch mehr Rs und Cs gekauft und hinzugefügt. Um was müsste ich meine Simulation erweitern, um auch die Überschwinger zu sehen.
06.04.2010, 06:13 PM
Versuchs mal mit Serien-Induktivitäten in jeder Drain-Leitung zur Nachbildung der Leitungsinduktivitäten. Startwert 50nH.
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06.04.2010, 06:31 PM
Die MOSFETs wurden für LTSpice durch steuerbare Schalter(.model LOSIDE SW(Ron=.07 Roff=1Meg Vt=2.5)) ersetzt. Nun habe ich an den Schaltern Spannungsspitzen von bis zu 500kV.
06.04.2010, 06:49 PM
STROMspitzen von 500kV?! 
Wenn in dem Modell nicht mehr drinsteht, wird das nicht zur Simulation reichen. Du benötigst in jedem Falle die inneren (teilweise spannungsabhängigen!) Kapazitäten für ein halbwegs realitätsnahes Ergebnis.
Wenn in dem Modell nicht mehr drinsteht, wird das nicht zur Simulation reichen. Du benötigst in jedem Falle die inneren (teilweise spannungsabhängigen!) Kapazitäten für ein halbwegs realitätsnahes Ergebnis.
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06.04.2010, 06:58 PM
Ich schätze dein realer Aufbau hat weniger als 50nH je MosFet.
Zudem muessen noch die drei parasitären Kondensatoren je MosFet in die Simulation - Drain/Source, Drain/Gate, Gate/Source. Werte am besten aus dem MosFet-Datenblatt entnehmen.
Und wenn du es genauer haben willst, dann setze ca. 5nH in die Drainleitung, 7nH in die Sourceleitung, 5nH in die Gateleitung (Faustwerte für TO-220) und dann entsprechend deinem Layout je mm Leiterbahn ca. 0.5nH. Die Verbindung über die Massefläche kannst du mit wenigen einzelnen nH annehmen, oder einfach vernachlässigen.
Zudem muessen noch die drei parasitären Kondensatoren je MosFet in die Simulation - Drain/Source, Drain/Gate, Gate/Source. Werte am besten aus dem MosFet-Datenblatt entnehmen.
Und wenn du es genauer haben willst, dann setze ca. 5nH in die Drainleitung, 7nH in die Sourceleitung, 5nH in die Gateleitung (Faustwerte für TO-220) und dann entsprechend deinem Layout je mm Leiterbahn ca. 0.5nH. Die Verbindung über die Massefläche kannst du mit wenigen einzelnen nH annehmen, oder einfach vernachlässigen.
06.04.2010, 07:04 PM
Zitat:Original geschrieben von voltwide
STROMspitzen von 500kV?!
...
das hab ich auch gedacht, aber aus dem Zusammenhang ließ sich ja interpretieren was Lukas meinte.
@ Lukas:
Was ich ganz vergaß: Schoen, dass die Daempfer Wirkung zeigen.
Du kannst ganz ohne neue Bauteile erstmal etwas mit der Geometrie experimentieren. Üblicherweise gibt es irgendwo ein Optimum. Wenn dein eher Optimum bei der kleinstmöglichen Snubberschleife liegt, dann ist das unvermeidbare parasitäre L noch zu groß, dann sollte eine Verkleinerung von C helfen...
06.04.2010, 07:14 PM
Cs mit 1nF sind parallel zu den Schaltern drin, jetzt klingelt's schlimmer als der Big Ben.
06.04.2010, 07:46 PM
Nochmal zur Wirkungsweise des snubbers. An dieser Stelle ist ein LC-Serienkreis zu bedämpfen. Der optimale Dämfpungswiderstand ergibt sich aus Z = sqrt(Ls/Cs), 10R sind da schon ein praktischer Näherungswert. Dieser Dämpfungwiderstand ist der ds-Strecke parallel zu schalten. Und damit es nicht qualmt, wird ein Koppelkondensator in Reihe geschaltet, der mindestens doppelt so groß ist wie Cs (im wesentlichen innere MOSFET-Kapazitäten). Macht man den Kondensator noch größer, ändert sich nicht mehr allzu viel, ausser dass durch den snubber-Widerstand zunehmend HF-Strom fließt und diesen belastet.
Wenn Du aber 1nF ohne Serienwiderstand anbringst, stimmst Du nur den Serienkreis auf eine tiefere Frequenz ab, und das Klingeln wird stärker aufgrund der höheren Kreisgüte.
Zu den MOSFET-Modellen: Ich laboriere auch gerade daran rum, reale MOSFETs einigermaßen glaubwürdig zu simulieren. Vielleicht hilft es Dir auf die Schnelle weiter über "pick another.." aus dem LTC-eigenen Bestand einen halbwegs ähnlichen Typen, d.h. mit vergleichbarer gate-Ladung und ähnlichem Rdson, einzusetzen.
Wenn Du aber 1nF ohne Serienwiderstand anbringst, stimmst Du nur den Serienkreis auf eine tiefere Frequenz ab, und das Klingeln wird stärker aufgrund der höheren Kreisgüte.
Zu den MOSFET-Modellen: Ich laboriere auch gerade daran rum, reale MOSFETs einigermaßen glaubwürdig zu simulieren. Vielleicht hilft es Dir auf die Schnelle weiter über "pick another.." aus dem LTC-eigenen Bestand einen halbwegs ähnlichen Typen, d.h. mit vergleichbarer gate-Ladung und ähnlichem Rdson, einzusetzen.
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06.04.2010, 08:18 PM
Hallo Volt,
ich glaube die 1nF die Lukas direkt parallel zu DS in die Sim eingebracht hat, sind um die parasitären Cs der MosFets nachzubilden.
Zum Snubber finde ich die RC-Theorie nicht ausreichend.
Wenn man es als reines RC-betrachtet ergeben sich zwischen Realität und Rechnung oft deutliche Unterschiede, weil die parasitäre Snubberinduktivität bei 90MHz nicht vernachlässigbar ist. Also handelt es sich um ein RCL-Dämpfglied. Auch hier gilt die Faustregel: 1mm verursacht 0.5nH. (Bauteilgeometrien muessen ebenfalls mitgerechnet werden.
Damit also die 10 Ohm also als 10 Ohm wirken können, sollten Snubber-C und parasitäres Snubber L so ausgelegt sein, dass sie ihre Resonanz bei der zu bedämpfenden Frequenz haben. Dann wirkt auch der reale RCL-Snubber rein Ohmsch und dämpft so gut, dass man seinen Augen kaum glaubt.
ich glaube die 1nF die Lukas direkt parallel zu DS in die Sim eingebracht hat, sind um die parasitären Cs der MosFets nachzubilden.
Zum Snubber finde ich die RC-Theorie nicht ausreichend.
Wenn man es als reines RC-betrachtet ergeben sich zwischen Realität und Rechnung oft deutliche Unterschiede, weil die parasitäre Snubberinduktivität bei 90MHz nicht vernachlässigbar ist. Also handelt es sich um ein RCL-Dämpfglied. Auch hier gilt die Faustregel: 1mm verursacht 0.5nH. (Bauteilgeometrien muessen ebenfalls mitgerechnet werden.
Damit also die 10 Ohm also als 10 Ohm wirken können, sollten Snubber-C und parasitäres Snubber L so ausgelegt sein, dass sie ihre Resonanz bei der zu bedämpfenden Frequenz haben. Dann wirkt auch der reale RCL-Snubber rein Ohmsch und dämpft so gut, dass man seinen Augen kaum glaubt.
06.04.2010, 10:59 PM
So weit bin ich in meiner Annäherung nicht gegangen, aber die Abstimmung des Snubbers auf RLC geht noch einen Schritt weiter und leuchtet mir ein. Du nimmst es wirklich sehr genau, Respekt! 
1nF als innere Kapazität Cds erscheint mir viel zu hoch, vor allem, wenn Betriebsspannung anliegt.Ich habe selbst keine Ahnung, inwieweit das komplexe kapazitive Verhalten von PowerMOSFET modelliert wird, also bin ich erstmal ziemlich skeptisch bei allen Simulationsergebnissen von dynamischen Vorgängen, die im (sub-) nano-Sekunden-Bereich liegen.
1nF als innere Kapazität Cds erscheint mir viel zu hoch, vor allem, wenn Betriebsspannung anliegt.Ich habe selbst keine Ahnung, inwieweit das komplexe kapazitive Verhalten von PowerMOSFET modelliert wird, also bin ich erstmal ziemlich skeptisch bei allen Simulationsergebnissen von dynamischen Vorgängen, die im (sub-) nano-Sekunden-Bereich liegen.
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06.04.2010, 11:42 PM
Zitat:Original geschrieben von voltwide...just ask Eva. Ohne ihr haette ich wohl etwas länger geknabbert, um die Snubberei stubenrein zu kriegen...
So weit bin ich in meiner Annäherung nicht gegangen, aber die Abstimmung des Snubbers auf RLC geht noch einen Schritt weiter und leuchtet mir ein. Du nimmst es wirklich sehr genau, Respekt!
Zitat:Original geschrieben von voltwide
1nF als innere Kapazität Cds erscheint mir viel zu hoch, vor allem, wenn Betriebsspannung anliegt.Ich habe selbst keine Ahnung, inwieweit das komplexe kapazitive Verhalten von PowerMOSFET modelliert wird, also bin ich erstmal ziemlich skeptisch bei allen Simulationsergebnissen von dynamischen Vorgängen, die im (sub-) nano-Sekunden-Bereich liegen.
Ja, 1nF Drains-Source-Kapazitaet waere schon ein ziemlicher MonsterFet...
Drum hatte ich aufs Datenblatt verwiesen.
Aber für's Prinzip, um die Zusammenhänge zu verstehen, ist es ja wurscht.
Hinsichtlich ns-Simulationen habe ich auch so meine Vorbehalte.
Aber ich habe, nachdem ich damals den di/dt-Limiter ertüftelt hatte, die ganze Sache mal in LT-Spice reingeklopft und die Modelle des IRFB4321 haben in der Sim erstaunlich aehnliche Schaltvorgaenge gezeigt wie mein Prototyp.
Mal sehen wie gut meine aktuellen SIMs fuer meinen naechsten Amp sind....
Wird sich aber noch 1-2 Jahre ziehen. ...die fette SMPSU muss ich ja auch erst noch entwickeln...
07.04.2010, 12:26 AM
Ich habe mal einen Blick in die LT-MOSFET-Modelle geworfen (../LTspiceIV/lib/cmp/standard.mos). Immerhin gibt es darin eine minimale und eine maximale drain-source Kapazität, die vermutlich in Verbindung mit der ebenfalls spezifizierten max Drain-Spannung nach irgendeiner Parabelfunktion die spannungsabhängige drain-source-Kapazität liefert. Nicht entdecken konnte ich irgendwelche Induktivitäten oder irgendwelche zarten Hinweise auf die Existenz der body-Diode
...mit der Lizenz zum Löten!
07.04.2010, 12:41 AM
zur diskussion der mosfet eigenschaften: hatte -->
hier schon damit angefangen
hier schon damit angefangen
Don't worry about getting older. You're still gonna do dump stuff...only slower
12.04.2010, 09:05 AM
Zur Zeit kriegen wir viele Besucher von Luk4s' Seite. Ich komm kaum noch mit dem Freischalten hinterher. 
12.04.2010, 09:08 AM
Hab diesen Thread mal in die heißen Eisen gesetzt.
13.04.2010, 02:56 PM
Ich melde mich auch mal wieder 
Wie manche vielleicht schon bemerkt haben, habe ich beim Update meiner Homepage auf d-amp.org verlinkt. Das könnte die hohen Besucherzahlen erklären.
Bzgl. der Dämpfer: Ich hab die momentan weggelassen, da die Überschwinger bei Zimmerlautstärke nicht vorhanden sind.
Nun wird in nächster Zeit vom carrotAmpDmkIII ein 2. Kanal aufgebaut der gemeinsam mit dem ersten und einer Einschaltverzögerung in ein EMV-Dichtes Gehäuse kommt.
Wie manche vielleicht schon bemerkt haben, habe ich beim Update meiner Homepage auf d-amp.org verlinkt. Das könnte die hohen Besucherzahlen erklären.
Bzgl. der Dämpfer: Ich hab die momentan weggelassen, da die Überschwinger bei Zimmerlautstärke nicht vorhanden sind.
Nun wird in nächster Zeit vom carrotAmpDmkIII ein 2. Kanal aufgebaut der gemeinsam mit dem ersten und einer Einschaltverzögerung in ein EMV-Dichtes Gehäuse kommt.
13.04.2010, 04:17 PM
Zitat:Original geschrieben von Luk4s
Das könnte die hohen Besucherzahlen erklären.
War nur ein kurzer Hype...
