• .
  • Willkommen im Forum!
  • Alles beim Alten...
  • Du hast kaum etwas verpasst ;-)
  • Jetzt noch sicherer mit HTTPS
Hallo, Gast! Anmelden Registrieren


100ns Endstufe
Hier noch mal die Simulation mit abgeblockten pn-Dioden:

[Bild: 1_pic117.jpg]

...ändert aber an den Spikes auch nichts.

 
@Rumgucker

Kannst du mal eine Grafik der Spikes zeigen?
Ich konnte bislang deine Simu nicht nachvollziehen.
Ich habe es bislang nicht geschafft den IR-Modellen ein Symbol zuzuordnen.
Über .inc aufrufen ist klar.Aber damit ist das Bauteil noch nicht im sheet?
Wie machst du das?

@Alle
bjt-amp:
Bis jetzt hab ich mich mit den geforderten 100ns Durchlaufzeit und den Steig-Fallzeiten um 10-20ns beschäftigt.Die Crossoverströme in den Treibern und End-T´s hab ich erstmal vernachlässigt.
Um dieses Problem zu lösen würde ich eine Totzeitlogig dem Amp vorschalten oder was meint Ihr?.
In der Simulation wird der Amp mit 1Mhz Rechteck und symmetrischen Puls-Pausenverhältniß angesteuert.An ohmscher Last erzeugt er 10ns Steig-Fallzeit,60ns Durchlaufzeit und einem Offset von 12mV hinter dem Ausgangsfilter.
Eingangsstrom beträgt 50mASS und am Ausgang sind es 10ASS.Bislang ist der Bauteilaufwand gegenüber Kim´s Schaltung verdoppelt.
Nur Geduld, wenn ich mir sicher bin stell ich die Schaltung ein.
Dauert bei mir eben etwas länger.
Mike
 
PS:Bei der Dimensionierung der einzelnen Stufen im BJT-Amp ist mir aufgefallen ,das die Transistoren im linearen Bereich ausgesteuert werden müssen da es sonst an den Kennlinien zur einer Verschiebung des Puls-Pausenverhältnißes und somit zu Klirr kommt.
Aber wahrscheinlich wisst Ihr das schon.
Mike
 
@sixtas,
das gleiche prob. hatte ich auch, must du aus den downloads die schaltplansymbole ziehen und mt inc anweisung darauf verweisen.
 
@Bandre
Hab ich es mir doch gedacht.;whistling
Danke Bandre
 
@sixtas

Ist doch wohl selbstverständlich;up .
Habe mal bissel hier im Forum gelesen und glaube das Du der Erste bist der das Wort "Danke" benutzt hat Wink Big Grin Big Grin Big Grin
 
Zitat:Original geschrieben von sixtas
Ich habe es bislang nicht geschafft den IR-Modellen ein Symbol zuzuordnen.
Über .inc aufrufen ist klar.Aber damit ist das Bauteil noch nicht im sheet?
Wie machst du das?

Im Downloadbereich findest Du zwei wichtige Dinge. Zuerst mal die IR-Library, die die SUBCKT's der MOS-Transistoren beinhaltet. Die mußt Du Dir laden, entpacken und davon einzelne Bauteile zum Beispiel mit ".inc mylib\irf540n.spi" zugänglich machen.

Fast noch wichtiger ist aber das Laden der dazugehörigen "Schaltplansymbole", die Du ebenso im Download findest. Die hab ich unter der neu angelegten "lib\sym\mysym" abgelegt.

Danach bitte LTSpice neu starten, weil er die Symbolpfade beim Programmstart "cached".

Sobald Du ein neues Bauteil einklinken willst, wird Dir auch "mysym" als Ordner angezeigt. Wähl Dir da zum Beispiel "nmos_modell". Dieses (generische) Schaltsymbol ist selbstgemacht. Nach dem Positionieren des Symbols auf dem Plan und drücken der rechten Maustaste trägst Du bei SpiceModel und bei Value gleichermaßen "IRF540N" ein.

Und das wars schon.



Zitat:Nur Geduld, wenn ich mir sicher bin stell ich die Schaltung ein.
Dauert bei mir eben etwas länger.

Dein Weg erinnert mich an Beobachters, Amperichers und Andreas Weg. Wir kriegen was fix-fertiges vorgeklatscht und müssen es genauso schlucken, wie es uns vorgelegt wurde. Wir befinden uns dadurch in der Rolle eine "Verbrauchers".
Ich bevorzuge den anderen Weg. Ich stell unausgegorenen Krams rein. Einfach weil ich die Hoffnung habe, daß es andere zum Mitmachen anregt.
Den zweiten Weg halte ich für demokratischer, mutiger, respektvoller und bereichert uns alle, weil nur so Teamarbeit entstehen kann.
 
Zum "Danke": Höflichkeit ist nur ein Zeichen von Schwäche hinterhältig hinterhältig Wink

Oooops...

...ich erinnere gerade, daß Bandre ja auch "Admin" ist. Hehehehehe....

Hiermit ernenne ich Bandre einstimmig (eben meine eine Stimme) zum "Hüter der Höflichkeit".

;rofl1
 
@ Rumgucker,

wenn ich das mache steige ich wohl innerhalb einer Woche vom Neuling zum Hardcoreposter auf klappe . ;rofl1
 
bzgl shoot + spikes:
habe mit irf9530 model (auch) sehr seltsame ergebnisse bekommen und mir dann das model mal angesehen: würde sagen: katastrophal falsch.
gate kapazität 9x zu gross, das muss in der simu spikes ohne ende geben!
9x ist fast 10, evtl "nur" eine kommastelle vernudelt, aber erstmal drauf kommen!
fazit: traue keinem model... motz
    Don't worry about getting older.  You're still gonna do dump stuff...only slower
 
Hey alfsch..... ich könnte Dich knuddeln!!!!!



Währenddessen hab ich noch einmal die konventionelle Gegentaktschaltung mit Bootsstrap sowohl mit zwei N-MOS (so wie die SODFA-Fraktion die verwendet) als auch mit zwei NPN simuliert.

Check mich

Das Ergebnis ist für alle Querdenker ein Eiertritt! Die konventionelle MOS-Schaltung schafft mühelos sogar 50ns mit 80% Wirkungsgrad. Die BJT-Sache kommt tatsächlich nicht unter 200ns. Und das mit erheblichen Impulsverfälschungen.

Ich bin so -> [H4]|----|[/H4] kurz davor, die alternativen Endstufen aufzugeben und den konventionellen Weg mit Gate-Treiberchip zu nehmen.

Allerdings werde ich mir zuvor auch nochmal die Modell-Unstimmigkeiten anschauen, die alfsch gemeldet hat.
 
Jetzt seh ichs erst: ich bin "hardcoreposter" überrascht überrascht überrascht

Ich dachte immer, daß mich das Forum auf diese Weise beschimpft. Aber das meint das Forum als Anerkennung für meine wahrlich fundierten und tiefsinnigen Beiträge.

"Hardcoreposter". Wie das schon klingt. Hard und corig. *wow*

Also ok! Ich, der ultimative Hardcoreposter, bin so weit. Ihr könnt die Mädels [IMG]images/smilies/fem.gif[/IMG] (endlich) reinlassen [IMG]images/smilies/bumsen.gif[/IMG]
 
Hmmmm... ich hab mir eben nochmal die Modelle angeschaut....

So ganz so schlimm erscheint mir der Unterschied im CGS0-Parameter nun auch nicht. Bei Modell "1" handelt es sich um die "Überlappungskapazität geteilt durch Kanalbreite" (was immer das ist).

Der wird beim irf530 mit 6uF/m und beim irf9530 mit stolzen 40uF/m angegeben. Tatsächlich ist da ein Faktor "9" erkennbar, wie alfsch meldet.

Allerdings relativiert sich die Sache, wenn man sich mal die Modelle irf540n und irf9540n anschaut. Dort sind beide CGS0 einerseits gleich und andererseits mit 18uF/m angegeben.

Trotz dieser (glaubwürdigeren) Gleichheit des N- und P-MOS zeigt die 540-Gegentaktschaltung die gleichen Spikes.

Zur Sicherheit hab ich mir die Orcad pwrlib angeschaut. Tatsächlich werden dort beide CGS0 mit 1nF gehandelt, was irgendwie an die Datenblatt-Eingangskapazität erinnert. Das kann aber was ganz anderes bedeuten, weil Orcad mit der Modell-Option "3" arbeitet.

Zur allerletzten Sicherheit hab ich die Orcad-Modell verwendet. Und siehe da: auch die zeigen irrwitzige Spikes.



Nach alldem glaube ich nicht, daß CGSO großen Einfluß auf die ominösen Spikes hat.

Entweder sind alle Modelle krank oder es liegt ein unverstandener Bug in der Gegentakt-Sourcefolgerschaltung.

Das putzigste ist ja: auch die konventionelle Gegentaktschaltung mit zwei N-MOS besteht ja zur Hälfte aus einem Source-Folger. Und auch sie hat eine positive Freilaufdiode, die zwischen Source und +UB liegt. Und trotz dieser Ähnlichkeiten und trotz der Verwendung der IR-Modell zeigt die konventionelle Gegentaktschaltung keine Spikes.

Das ist schon alles ziemlich merkwürden, Jungs....
 
hallo, euer merkwürden !
bei meinem problem mit dem irf9530 ging die gate-aufladung schneckenlangsam, im vgl zum 530, daher kam ich drauf.
bin ja nicht der model-guru, aber der cgs wert ist weit daneben.
bei 540+9540 stimmts wohl so lala..
    Don't worry about getting older.  You're still gonna do dump stuff...only slower
 
Andreas sagte mal nebenher, daß er in LTSpice viele Modelle "geschönt" fand.

Tatsächlich zeigen auch alle (halbwegs sinnvollen) LTSpice-internen Library-MOS in der Sourcefolger-Gegentaktschaltung ein sehr schönes und sauberes Verhalten.

Umgekehrt zeigt kein einziges der IR-SUBCKTs in dieser Schaltungsart ordentliche Ergebnisse.

Das eine ist zu schön..... das zweite ist zu schlimm.

Erst wenn man Beobachters langweilige Standard-Schaltung mit zwei N-MOS verwendet, ist die Welt wieder in Ordnung.

Prinzipiell hab ich kein Problem, mich vor geistiger Übermacht zu beugen. Aber bitte nicht vor Beobachter ;kotz
 
Ich hab in der Sourcefolgerschaltung auch mal in Reihe mit den beiden Sources jeweils eine winzige Induktivität geschaltet (1nH). Die Schaltung war daraufhin praktisch paralysiert. Die Gates verblitzten und die Ströme fielen nicht mehr auf Null.

Mit "1 nH"!

Das kriegt man natürlich schnell mit etwas Leiterbahn hin.

Irgendwas ist krank an der Sourcefolger-Schaltung... irgendwas. Irgendein Dämon. Irgendwas mit Voodoo. Irgendwas schreckliches. Rolleyes
 
model.. lachend
bei irf530 (100v typ) ist glatt BV=300 !!
also avalanche bei 300v ;deal2 misstrau
nur 300% daneben, immer noch besser als die 900% s.o.
    Don't worry about getting older.  You're still gonna do dump stuff...only slower
 
@Sixtas:
Du fummelst ja im Moment an der BJT-Lösung rum.

Ich hab die letzten Tage immer wieder gesehen, daß schon winzige Änderungen (parasitäre Kapazitäten, Zuleitungsinduktiivitäten und Bauteiltoleranzen) zu gewaltigen Verlustleistungsausbrüchen führen können, gleich ob mit MOS oder BJT oder diskret oder mit integrierten Gatedrivern.

Mir klingt noch Andreas Spruch mit der Simulation der Leiterplatte im Ohr. Ein absolut berechtigter Einwand. Und von der Wirkung der gestrigen "1 nH" bin ich immer noch ganz geschockt.

Wenn Du also ne Schaltung fix und fertig haben solltest, sollte sie über gehörige Leistungsreserven verfügen. Eine "pfrimelige" BJT-Lösung, bei der die Halbleiter hart an der Grenze der Explosion arbeiten, kann mich nicht (mehr) so richtig begeistern.

Mittlerweile weiß ich recht genau, wie man unsere Endstufentopologien durch Leiterbahninduktivitäten erheblichst in die Knie zwingen kann. hinterhältig Wink



Ich will heute nochmal einen allerletzten (?) Exkurs in die alternativen Schaltungstechniken versuchen. Vielleicht erinnert Ihr Euch noch an meine totem-pole-Schaltung mit Rückkopplung, die ich im alten Forum vorstellte. Beobachter meinte damals, daß das Teil nobelpreisverdächtig wäre, wenn es klappen würde. Leider klappte es nicht, weil ich die Millerkapazität niccht aufgeladen bekam.

Nun hatte ich damals dummerweise schon Platz in der einen Glas-Vitrine für wissenschaftliche Auszeichnungen freigeräumt. Dieser Platz muß unbedingt noch gefüllt werden.

Daher will ich mal heute versuchen, ob Andreas BJTs nicht in der damals angegebenen Schaltung funktionieren. Denn die kennen keine Millerkapazitäten.
 
Ich krieg hier ein Rohr!!! Angry Angry Angry

Meine damalige "feedback-totem-pole-geh-schnell-kaputt-Schaltung" klappt mit BJTs genauso wenig.

"Ok".. dachte ich mir.... "das wars"... "ab dafür". Reumütig back to the roots und heim in Papa Beobachters Fantasielosigkeits-Frust der fix-fertige Gate-Treiber-Chips.

[Bild: 1_pic118.jpg]

Irgendwie freute ich mich sogar, weil das als selbstgemachtes Modell noch nicht genug getestet war (Ihr könnt Schaltsymbol und SUBCKT im Donwloadbereich ziehen).

Aber was sahen meine vom Kummer geröteten Augen?

Spikes! Ok... kein Problem: Gate-Serienwiderstände erhöht. Aber was passierte dann? Keine Chance, auf wesentlich unter 200ns zu kommen. Und selbst das mit erheblichen Verlusten.

Zum Testen

Ich werde gleich im letzten Schritt auf Amperichers MOS und Gate-Beschaltung umstellen. Und wenn das auch nichts bringt, dann bin ich definitiv zu doof, eine "100ns-Endstufe" zum Fliegen zu bekommen.

Rolleyes Sad Rolleyes Cry Angry Rolleyes

 
Ich find die Modelle zum "IRFB23N15D" nicht....

....nicht mal das kann ich.... Rolleyes