[voltwide]

Zitat:Original geschrieben von Rumgucker

Zitat:Original geschrieben von voltwide
Von daher empfehle ich Schottky-Dioden antiparallel zu den drain-source-Strecken der beiden PowerMOSFETs, und zwar extrem induktionsarm verbunden, also direkt an den pins. Wenn man ganz sicher gehen will, dass die internen Dioden der PowerMOSFETs nicht leiten, schaltet man in Reihe zum drain eine weitere Schottky-Diode in Durchflussrichtung.

Die internen Dioden sind IMHO bei diesem MOSFET schnell genug (typ. 300ns). Die sagen sogar, dass die Diodenverzögerungszeit vernachlässigbar ist, weil sie von den beiden internen Zuleitungsinduktivitäten überdeckt wird (Vishay-DB Seite 2).
Eine externe Diode wird also nichts mehr verbessern können.

Das ist definitiv falsch.
Das Thema lautet Zwangskommutierung.
Diese Art der Ausfälle ist bekannt seit den 90er Jahren.
Und es ist auch bekannt, dass die Datenblätter aus dieser Zeit aus gutem Grund keinerlei Angaben zum RBSOA gemacht haben.
Inzwischen gibt es MOSFETs die spezifiziert sind für derartige Anwendungen