17.09.2012, 08:13 AM
Zitat:Original geschrieben von voltwideDie internen Dioden sind IMHO bei diesem MOSFET schnell genug (typ. 300ns). Die sagen sogar, dass die Diodenverzögerungszeit vernachlässigbar ist, weil sie von den beiden internen Zuleitungsinduktivitäten überdeckt wird (Vishay-DB Seite 2).
Von daher empfehle ich Schottky-Dioden antiparallel zu den drain-source-Strecken der beiden PowerMOSFETs, und zwar extrem induktionsarm verbunden, also direkt an den pins. Wenn man ganz sicher gehen will, dass die internen Dioden der PowerMOSFETs nicht leiten, schaltet man in Reihe zum drain eine weitere Schottky-Diode in Durchflussrichtung.
Eine externe Diode wird also nichts mehr verbessern können.