17.09.2012, 07:51 AM
Als erstes fällt mir auf, dass dieser Verstärker keinerlei Schutzbeschaltung beherbergt.
Des weiteren sehe ich ein echt komplementäres Design - und da PMOS langsamer schalten als NMOS, hat sich das im Bereich höherer Leistungen nicht bewährt.
Immerhin hat man eine schnelle gate-Abschaltung spendiert.
Dennoch bleibt die Frage, ob die Totzeiten wirklich optimal eingestellt sind.
Ich vermute dass der Ausfall im Zusammenhang mit harter Kommutierung steht. Sprich, die parasitären Dioden der PowerMOSFETs sind in den Leitzustand gelangt und mußten anschließend zwangsabgeschaltet werden. Ein beliebter Ausfallmechanismus bei derartigen Konzepten.
Von daher empfehle ich Schottky-Dioden antiparallel zu den drain-source-Strecken der beiden PowerMOSFETs, und zwar extrem induktionsarm verbunden, also direkt an den pins. Wenn man ganz sicher gehen will, dass die internen Dioden der PowerMOSFETs nicht leiten, schaltet man in Reihe zum drain eine weitere Schottky-Diode in Durchflussrichtung.
Des weiteren sehe ich ein echt komplementäres Design - und da PMOS langsamer schalten als NMOS, hat sich das im Bereich höherer Leistungen nicht bewährt.
Immerhin hat man eine schnelle gate-Abschaltung spendiert.
Dennoch bleibt die Frage, ob die Totzeiten wirklich optimal eingestellt sind.
Ich vermute dass der Ausfall im Zusammenhang mit harter Kommutierung steht. Sprich, die parasitären Dioden der PowerMOSFETs sind in den Leitzustand gelangt und mußten anschließend zwangsabgeschaltet werden. Ein beliebter Ausfallmechanismus bei derartigen Konzepten.
Von daher empfehle ich Schottky-Dioden antiparallel zu den drain-source-Strecken der beiden PowerMOSFETs, und zwar extrem induktionsarm verbunden, also direkt an den pins. Wenn man ganz sicher gehen will, dass die internen Dioden der PowerMOSFETs nicht leiten, schaltet man in Reihe zum drain eine weitere Schottky-Diode in Durchflussrichtung.
...mit der Lizenz zum Löten!