12.03.2011, 08:26 PM
Zitat:Original geschrieben von acka
Klar, aufladen ok. Aber Gate über Diode entladen, bedeutet doch im Prinzip 12V Gatekapazität über Gatewiderstand vom FET dann Diode und dann?
So ganz verstehe ich das nun nicht. Wenn ein leeres Gate mit 12V über einen IR2110 mit 12 Ohm Quellwiderstand geladen wird, dann fließt nur 1As. Wenn danach das auf 12V aufgeladene Gate vom gleichen IR2110 über 12 Ohm gegen Masse entladen wird, dann fließt 1As in umgekehrter Richtung.
Also wird die 12V Gatekapazität über die Diode und dann den im IR2110 enthaltenen 12 Ohm Quellwiderstand gegen Masse entladen.
Die 12 Ohm sind sozusagen fest im IR2110 "eingebaut"!