19.02.2009, 10:23 AM
Hi,
wunderbar, danke sehr für die schnelle Klärung.
Es scheint das mit der SiC-Technologie eine mittelprächtige Revolution ins Haus steht. Hochvolt-Hochtemperatur-Hochgeschwindigkeits-Transistoren die in Versuchen bis 11kV, oder 500°C oder 43GHz liefen und wie´s aussieht kurz vor der Markrreife sind. Laut einer japanischen Studie könnte alleine durch die konsequente Anwendung der SiC-SIT-Technologie der CO²-Ausstoss 2020 auf 1% des Niveaus von 1990 gesenkt werden.
Die Schnelligkeit, verbunden mit sehr niedrigen On-Widerständen ist für alle geschalteten Anwendungen interessant.
Mich interessiert eher die Anwendung als HV-amp für Elektrostaten um entweder von den gestackten Transen-Topologien oder den aufgeheizten Röhren weg zu kommen. Ein komplett mit JFETs aufgebauter HV-Amp, schön in SE class-A und möglichst ohne global feedback müsste klanglich mit einer Röhre nicht nur sehr gut mithalten können, sondern insgesamt vorteilhaft sein
jauu
Calvin
wunderbar, danke sehr für die schnelle Klärung.
Es scheint das mit der SiC-Technologie eine mittelprächtige Revolution ins Haus steht. Hochvolt-Hochtemperatur-Hochgeschwindigkeits-Transistoren die in Versuchen bis 11kV, oder 500°C oder 43GHz liefen und wie´s aussieht kurz vor der Markrreife sind. Laut einer japanischen Studie könnte alleine durch die konsequente Anwendung der SiC-SIT-Technologie der CO²-Ausstoss 2020 auf 1% des Niveaus von 1990 gesenkt werden.
Die Schnelligkeit, verbunden mit sehr niedrigen On-Widerständen ist für alle geschalteten Anwendungen interessant.
Mich interessiert eher die Anwendung als HV-amp für Elektrostaten um entweder von den gestackten Transen-Topologien oder den aufgeheizten Röhren weg zu kommen. Ein komplett mit JFETs aufgebauter HV-Amp, schön in SE class-A und möglichst ohne global feedback müsste klanglich mit einer Röhre nicht nur sehr gut mithalten können, sondern insgesamt vorteilhaft sein
jauu
Calvin