08.09.2005, 02:49 PM
Was ich noch sagen wollte: mit dem einfachen standartmodell aus vier dioden/kapazitäten, drei widerständen und dem leitwert (wie du es erwähnt hast), bekommt man bei dem extrem hohen dt/du einer zu schaltenden steilen rechteckflanke garantiert unrealistische bis unbrauchbare ergebnisse, weil z.b. die (nicht berücksichtigte) basisbahninduktivität eine sehr wichtige rolle gespielt hätte.
Zusätzlich - wie du vielleicht beim durchsehen der modelle schon gesehen hast - werden bereits ab 'am' (zwischenfrequenz mittelwelle ~ ukw) nahezu alle transistoren (ausschliesslich als subcircuit) sogar mit den bonddrähten bis auf den chip modelliert ("housing parasitics"). Nur wenige mm nicht simulierte drähte und dazwischenliegende kapazitäten werden dann sicherlich hinterher im versuchsaufbau ordentlich schwingende kreise verursachen, von leiterbahnen ganz zu schweigen
kim
Zusätzlich - wie du vielleicht beim durchsehen der modelle schon gesehen hast - werden bereits ab 'am' (zwischenfrequenz mittelwelle ~ ukw) nahezu alle transistoren (ausschliesslich als subcircuit) sogar mit den bonddrähten bis auf den chip modelliert ("housing parasitics"). Nur wenige mm nicht simulierte drähte und dazwischenliegende kapazitäten werden dann sicherlich hinterher im versuchsaufbau ordentlich schwingende kreise verursachen, von leiterbahnen ganz zu schweigen
kim