[voltwide]

(14.05.2022, 12:24 PM)E_Tobi schrieb: Hi zusammen,
ich bin über ein interessantes Phänomen gestolpert, und dachte vielleicht hat einer von euch Ideen.
Ich habe an einem Buck-Wandler den Effekt dass die abgestrahlten Störungen (Edit: bei 120MHz, also im Frequenzbereich der Schaltflanken) um ~7 oder 8dB ansteigen, sobald der Synchrongleichrichter aktiv wird.
Beim selben Strom, aber deaktivierter Synchrongleichrichtung (-> Strom über Bodydioden) wird dementsprechend deutlich weniger abgestrahlt.

Es gibt eine deutliche Totzeit >>100ns zwischen High- und Lowside. Was also macht es EMV-mäßig für einen Unterschied ob zwischendurch das Gate der Lowside-Transistoren high ist, oder nicht?
Die einzigen Unterschiede die ich mir denken kann sind:
- dass die Kapazitäten aller Transistoren noch zwei mal je Zyklus um ~800mV umgeladen werden, sobald der Synchrongleichrichter ein Gatesingal bekommt
- Während die Lowside angeschaltet ist, ist die Switchnode deutlich niederimpedanter, als mit den Bodydioden als Gleichrichter

7dB sind eine ganze Ecke (doppelte Amplitude), von da her bin ich irgendwie mit keiner der beiden Erklärungen so richtig glücklich...übersehe ich irgendwas?

Ohne SyncRect ist der Umladestrorm gleich dem induktiven Laststrom. Mit SyncRect kann er wesentlich höher sein - ergo schnellere Flanken und damit mehr Oberwellen. Miß doch mal die Flankensteilheit direkt am ungefilterten Ausgang in beiden Fällen.