13.10.2020, 08:03 AM
Jo, hab auch schon überlegt, für ein aktuelles Design.
Dagegen stehen aus meiner Sicht Handling, dynamic RDS, das Problem mit der quasi nicht vorhandenen Toleranz für Fehler auf der Gatespannung, das fehlen vom Avalanche-Durchbruch und die Frage wie man die Winzlinge effektiv kühlen soll...
Vgl. z.B. mit BSC0802LS.
Coss ist bei dem doppelt so hoch, Qg ähnlich, Qoss nicht ganz doppelt so groß. Bei gleicher Frequenz also ungefähr doppelte Schaltverluste als GAN. Bei einer Anwendung mit z.B. 200kHz und 80V vielleicht 2W. Flussverluste wären derweil schon ab 25A größer als 2W.
Die Mehrverluste kann man aber recht einfach durchs PCB kühlen, weil er eine deutlich größere Tab-Fläche hat...
Von da her bleib ich bei geringer Spannung nach wie vor lieber bei Silizium, das weniger kostet und robuster gegen ist...sowohl mehr Margin am Gate, als auch einen erst mal nicht-zerstörerischen Durchbruch am Drain.
Anders wärs natürlich wenns um die letzten zehntelprozentchen Wirkungsgrad ginge...oder aus Spaß am Basteln
Dagegen stehen aus meiner Sicht Handling, dynamic RDS, das Problem mit der quasi nicht vorhandenen Toleranz für Fehler auf der Gatespannung, das fehlen vom Avalanche-Durchbruch und die Frage wie man die Winzlinge effektiv kühlen soll...
Vgl. z.B. mit BSC0802LS.
Coss ist bei dem doppelt so hoch, Qg ähnlich, Qoss nicht ganz doppelt so groß. Bei gleicher Frequenz also ungefähr doppelte Schaltverluste als GAN. Bei einer Anwendung mit z.B. 200kHz und 80V vielleicht 2W. Flussverluste wären derweil schon ab 25A größer als 2W.
Die Mehrverluste kann man aber recht einfach durchs PCB kühlen, weil er eine deutlich größere Tab-Fläche hat...
Von da her bleib ich bei geringer Spannung nach wie vor lieber bei Silizium, das weniger kostet und robuster gegen ist...sowohl mehr Margin am Gate, als auch einen erst mal nicht-zerstörerischen Durchbruch am Drain.
Anders wärs natürlich wenns um die letzten zehntelprozentchen Wirkungsgrad ginge...oder aus Spaß am Basteln