17.10.2018, 02:07 PM
(Dieser Beitrag wurde zuletzt bearbeitet: 17.10.2018, 02:53 PM von christianw..)
Die Frage nach den Schwingungen kann ich noch nicht beantworten, warum der SchaltFET warm wird, dagegen schon. Es scheint, als ob bei 2.7A Ausgangsseitigem Strom die "minimum-on-time" für den SyncFET erreicht wird und dann eine Überlappung auftritt. Das dies bei Phase 3 zuerst auftritt, mag am DCR-Sensing liegen, also Phasenstrom über der Spule. Wenn die DCR der Spulen zueinander stark abweichen zeigt sich wohl dieses Verhalten, korrekt? Wobei 1uS als minimum On-Time ist doch schon etwas lang?
Datenblatt sagt:
Maximum BG Duty Factor: 96%
Minimum BG On-Time: 110ns
Sollte der SyncFET etwa schon an der sichtbaren Kante abschalten?
Hier Phase 3 Gate-Signale für SchaltFET und SyncFET.
1.0A:
1.5A:
2.0A:
2.5A:
2.7A:
Vergleicht man das mit Phase1 bei ebenfalls 2.7A:
Sieht man die Abweichung.
Hier für Phase 3 die Umschaltdetails bei 2.7A:
Dieses Prellen auf den Gateleitungen der SyncFETs sieht man auf allen 4 Phasen, nur bei Phase 3 auch im Leerlauf.
Datenblatt sagt:
Maximum BG Duty Factor: 96%
Minimum BG On-Time: 110ns
Sollte der SyncFET etwa schon an der sichtbaren Kante abschalten?
Hier Phase 3 Gate-Signale für SchaltFET und SyncFET.
1.0A:
1.5A:
2.0A:
2.5A:
2.7A:
Vergleicht man das mit Phase1 bei ebenfalls 2.7A:
Sieht man die Abweichung.
Hier für Phase 3 die Umschaltdetails bei 2.7A:
Dieses Prellen auf den Gateleitungen der SyncFETs sieht man auf allen 4 Phasen, nur bei Phase 3 auch im Leerlauf.