[alfsch]

(07.09.2018, 06:38 PM)christianw. schrieb: Das die Verluste höher sind, ist ja zu erwarten, da der 400V Typ einen höheren Rdson und Gate-Charge hat. Nicht? Auch sind die anderen internen Kapazitäten im unteren Spannungsbereich viel größer. (Hab ich gelesen)

jepp, richtig gelesen. 
aber: es ist sowieso ein kleiner cap par. zu D-S , um den peak (der Streukapazität) abzufangen, daher (dachte ich) passt es gut, wenn der mosfet selbst ein wenig mehr Kapazität hat; das hat aber nicht gewirkt, da die zusätzliche Kapazität wohl zu gering war : der Abschalt-peak war ganz ungehemmt jetzt 200..300V ; 
+ nicht zu vergessen (hatte ich ja noch nicht klar gestellt): das Ding macht ca. 5W , dh der Rdson ist egal (sowieso sehr klein, gegen den benötigten Strom) die HV wird nicht der grossartige Belastungsfaktor sein, sondern eher die Schaltverluste, mit denen der mosfet sich so selbst vergnügt; daher hatte ich ja eben erwartet, die Verluste quasi auf Null zu bringen, wenn die Energie des Abschalt-peaks nicht mehr im mosfet wie in einer dicken Zenerdiode verbraten wird, sondern in den L-C /Trafo Elementen ;
nichtsdestotrotz - der 100V-Typ mit voll in die Avalanche gedonnertem peak - war deutlich effektiver. 
wirklich "erklären" konnte ich mir das nicht, weil meine Vorstellung eigentlich war: wenn der nun unbegtenzt vom mosfet höhere peak nicht vom trafo übertragen wird, sondern doch wieder im mosfet bleibt, sollte es eben in etwa genau den selben Verlust geben, wie das "volle" verschlucken der Energie in der Avalanche.