[ChocoHolic]

Zitat:Original geschrieben von voltwide


Ch1: loside-gate Ch2: loside drain.

Hier wurde ein ganz kurzer gate-Impuls erwischt, d.h. unmittelbar vor dem clipping.
Die drain-Abschaltflanke erreicht in 8-10ns bis zu 150V. Das sieht zwar schlimm aus,
und läßt sich etwas abschwächen mit einem Kerko an den Versorgungspins des Dual-MOSFET, hat aber keine nachweisbare Auswirkung auf die Funktion.
Derartig kurze Nadeln kann so ein MOSFET normalerweiseb im Avalanche-Durchbruch weg stecken.

...auch wenn es das Netzteil zu sein scheint und ich nun einfach mal ne eventuelle Übertemperaturlimitierung des Halbbrückentreiber-IC in den Raum werfe...

...wollte ich noch den Screen Shot des Amps kommentieren:
Der oben gezeigte Lastfall nahe dem Clipping scheint im Sourcingbetrieb (Strom aus der Halbbrücke heraus zur Last) erfolgt zu sein.
Der Laststrom zieht den Halbbrückenausgang zur negativen Versorgungsspannung.
Zum Zeitpunkt, wenn der obere MosFet eingeschaltet wird, ist die Bodydiode des unteren MosFet bestromt und wird dann mit dem Einschalten des oberen MosFet gewaltsam ausgeräumt. Schoen eingefangen.
Der massive Überschwinger der Vds mit einer Resonanzfrequenz von 50MHz ist fast schon unglaubhaft. Das würde mit den 78pF Coss bedeuten, dass die Loop oberer Fet, unterer Fet, Rail caps zurück zum oberen Fet eine parasitäre Induktivität von 120nH aufweist... und zudem unzureichend gesnubbert ist.
Hast du wirklich mit kurzem Masseringel gemessen? Oder etwa doch mit den üblichen Masseclips des Taskopfes zu irgendnem Massebereich hin? Oder nur die Masse vom Tastkopf der Vgs angeschlossen und den Vds Tastkopf ohne eigene Masse? Oder...?
Wenn dieser Peak real ist, dann haben die Jungs das Layout echt verbockt und solche Überschwinger hätten durchaus das Potential den IRS2092 aus dem Tritt zu bringen - ganz unabhängig davon ob der MosFet es wegsteckt.