[voltwide]

Ch1: loside-gate Ch2: loside drain.

Hier wurde ein ganz kurzer gate-Impuls erwischt, d.h. unmittelbar vor dem clipping.
Die drain-Abschaltflanke erreicht in 8-10ns bis zu 150V. Das sieht zwar schlimm aus,
und läßt sich etwas abschwächen mit einem Kerko an den Versorgungspins des Dual-MOSFET, hat aber keine nachweisbare Auswirkung auf die Funktion.
Derartig kurze Nadeln kann so ein MOSFET normalerweiseb im Avalanche-Durchbruch weg stecken.