[Basstler]

SiC ist nur eher was für den >=600V Bereich, da sind sie schnell, aufgrund der rel. niedrigen Kapazitäten verlustfreier zu Schalten.

Gegen gute MOSFets, welche in ihrem Spannungsbereich ackern, kommen sie nicht an.
Die sind einfach niederohmiger, dafür viel Silizium und daher viel Fläche aka. Kapazität.

Und das können die GaNs besser, noch weniger RdsON vs. Fläche -> weniger Kapazität, schnell und sparsam zu Schalten.
Den LMG5200 Spass mache ich ... sagen wir mal ... wenn die Dinger die Hälfte kosten, dass erträgt man noch einigermaßen

Also SiC für 'obenrum' und GaN 'unterum' ... so würde ich sie einordnen.