25.05.2015, 04:42 PM
Auf der PCIM hab ich intensiv mit den Leuten von Transphorm geredet, bezüglich GaN in bedrahteten Gehäusen. Man hat mir Oszillogramme gezeigt mit 100V/ns an TO-220.
Der Trick ist die Cascode...die eliminiert die Rückwirkung vom dI/dt an der Source-Induktivität auf die Gatespannung im Schaltmoment. Samples sind aufm Weg...ich werde berichten, wenns interessiert.
Der Trick ist die Cascode...die eliminiert die Rückwirkung vom dI/dt an der Source-Induktivität auf die Gatespannung im Schaltmoment. Samples sind aufm Weg...ich werde berichten, wenns interessiert.