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Halbbrückentopologien für hartschaltende Anwendungen größer 1kW
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Black_Chicken
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Themen: 20
Registriert: Apr 2011
#5
17.04.2015, 12:03 PM
Hey!

Die ersten 2 Punkte hab ich genau so beobachtet. Bei der Auswahl des MosFET hab ich mir eigentlich schon Mühe gegeben (geringe Qrr, geringe Cgd, bei trotzdem aktzeptablem Rdson). Ob die Body-Diode "snappy" Verhalten aufweist oder nicht kann man halt schlecht aus dem Datenblatt ablesen - wüsste nicht wie ...

(Direct-FET ist leider rausgefallen - Gehäuse-Vorgabe wegen anderer Randbedingungen.)
 
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Nachrichten in diesem Thema
[Kein Betreff] - von voltwide - 14.04.2015, 11:59 PM
[Kein Betreff] - von Black_Chicken - 15.04.2015, 08:59 AM
[Kein Betreff] - von alfsch - 17.04.2015, 10:03 AM
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