17.04.2015, 10:03 AM
bzgl dem harten Schalten :
für höhere Spannungen gibts das allerdings kaum...
die Probleme entstehen beim Abschalten der Backdiode , "snappy" , dh die Diode zieht einen hohen Rückwärtsstrom und hört dann "schlagartig" auf, Strom zu ziehen;
dabei gibt es einen rapiden Anstieg der Spannung D-S am mosfet, was 3 Probleme produziert:
1. der schnelle Spannungsanstieg koppelt durch die Kapazität D-G auf das gate und schaltet den mosfet dadurch kurzzeitig wieder ein...das mag er nicht so gerne
;
-> Auswahl eines mosfet, mit möglichst geringer C g-d ;
2. die schnelle Stromänderung erzeugt in den induktiven Leitungen, zb in dem source-Anschluss-Beinchen selbst, eine Spannung , die das gate relativ zum source im chip positiv aufladen kann - der mosfet schaltet kurz wieder ein...boing
-> Auswahl eines mosfet, mit möglichst wenig Induktivität zwischen chip und externem Anschluss (zb die "direct fet" , chip ist flach nach aussen kontaktiert )
3. ein ganz dummer Effekt: der schnelle Anstieg der Spannung D-S am mosfet trennt die Schichten im chip so schnell, dass Ladungsträger mitten in der Schicht bleiben - die wollen dann natürlich auch noch raus - und erzeugen quasi ein Mehrschichten-Bauteil, ala Transistor, der jetzt auch noch Stromverstärkung bekommen kann und zu einem plötzlichen unkontrollierten Stromfluss führt - ist der stark genug, kommts zum punch- der chip bekommt ne Punktschweiss-stelle...boing
-> es gibt noch eine Möglichkeit, das zu verhindern bzw zumindest zu reduzieren
Zitat:Der Stromabriss (di/dt) beim ausräumen der Body-Diode ist einfach zu massiv.gibt es erstmal natürlich die Wahl des mosfet, dh einen Typ mit möglichst "guter" Backdiode zu nehmen , zb IRF540Z (100V typ)
für höhere Spannungen gibts das allerdings kaum...
die Probleme entstehen beim Abschalten der Backdiode , "snappy" , dh die Diode zieht einen hohen Rückwärtsstrom und hört dann "schlagartig" auf, Strom zu ziehen;
dabei gibt es einen rapiden Anstieg der Spannung D-S am mosfet, was 3 Probleme produziert:
1. der schnelle Spannungsanstieg koppelt durch die Kapazität D-G auf das gate und schaltet den mosfet dadurch kurzzeitig wieder ein...das mag er nicht so gerne
;-> Auswahl eines mosfet, mit möglichst geringer C g-d ;
2. die schnelle Stromänderung erzeugt in den induktiven Leitungen, zb in dem source-Anschluss-Beinchen selbst, eine Spannung , die das gate relativ zum source im chip positiv aufladen kann - der mosfet schaltet kurz wieder ein...boing
-> Auswahl eines mosfet, mit möglichst wenig Induktivität zwischen chip und externem Anschluss (zb die "direct fet" , chip ist flach nach aussen kontaktiert )
3. ein ganz dummer Effekt: der schnelle Anstieg der Spannung D-S am mosfet trennt die Schichten im chip so schnell, dass Ladungsträger mitten in der Schicht bleiben - die wollen dann natürlich auch noch raus - und erzeugen quasi ein Mehrschichten-Bauteil, ala Transistor, der jetzt auch noch Stromverstärkung bekommen kann und zu einem plötzlichen unkontrollierten Stromfluss führt - ist der stark genug, kommts zum punch- der chip bekommt ne Punktschweiss-stelle...boing
-> es gibt noch eine Möglichkeit, das zu verhindern bzw zumindest zu reduzieren
Don't worry about getting older. You're still gonna do dump stuff...only slower