30.07.2013, 10:11 AM
So jetzt gehts an die Totzeit
Ub_brücke = +-20V, Last = 10R/2W
RDT ist momentan 10kOhm -> es müssten 100ns sein.
Ugs des unteren (Blau) FET wird direkt gemessen, die vom oberen (Rosa) per Subtraktion im Oszi.
Das mit den 100ns kommt gut hin.
Jetzt wird der Widerstand auf 1k (=10ns) verkleinert.
Fazit:
-Ich brauche ein schnelleres Oszi
-Es wird beim Schalten der jeweils abschaltende nicht nochmal aufgesteuert (Ugs_th,min liegt bei IRFB4019 bei 3V, da bin ich definitiv drunter), die Lage des Plateaus ist bei ca. 5V.
-Ich vermisse beim Abschalten des Unteren das unterschreiten von 0V durch die Diode - das war in #493 allerdings noch vorhanden...
-Beim Finalen Layout mache ich die Leitungen von SI8244 zu den Gates noch ein wenig kürzer - aktuell: ca 15mm neu ca. 7mm.
Ub_brücke = +-20V, Last = 10R/2W
Zitat:Das Datenblatte vom SI8244 sagt
RDT ist momentan 10kOhm -> es müssten 100ns sein.
Zitat:mein Aufbau
Ugs des unteren (Blau) FET wird direkt gemessen, die vom oberen (Rosa) per Subtraktion im Oszi.
Zitat:Messergebnis 100ns
Das mit den 100ns kommt gut hin.
Jetzt wird der Widerstand auf 1k (=10ns) verkleinert.
Zitat:Brücke auf -Ub schalten
Zitat:Brücke auf +UB schalten
Fazit:
-Ich brauche ein schnelleres Oszi
-Es wird beim Schalten der jeweils abschaltende nicht nochmal aufgesteuert (Ugs_th,min liegt bei IRFB4019 bei 3V, da bin ich definitiv drunter), die Lage des Plateaus ist bei ca. 5V.
-Ich vermisse beim Abschalten des Unteren das unterschreiten von 0V durch die Diode - das war in #493 allerdings noch vorhanden...
-Beim Finalen Layout mache ich die Leitungen von SI8244 zu den Gates noch ein wenig kürzer - aktuell: ca 15mm neu ca. 7mm.
Pffffffffft. "Da entwich das Vakuum" - Heinrich Physik, 1857.