21.05.2013, 07:07 PM
Das sieht nach Eagle aus. Es wäre wesentlich angenehmer, wenn du das Eagle-file hochladen könntest.
R1, R8, D1, D3, D4 und C2 würde ich in SMD ausführen.
Input Capacitance des Mosfets beträgt 2nF. Die Leiterschleife ist grob 6 cm lang. Das sind ca. 30nH. Hinzu kommen 12,5nH Sourceinduktivität des Mosfets. Um eine kritische Dämpfung (linearer C und L angenommen) zu bekommen müsste der Gatewiderstand 9,2 ohm groß sein.
Der aktuelel Aufbau könnte noch einigermaßen ohne Überschwinger an den Gates funktionieren.
10µF für C2 kommt mir viel zu groß vor.
Bei 120nC Ladung im Gate verändert ein 1,2µF Kondensator seine Spannung um 0,1V. Mit einem 10µF Kondensator handelt man sich nur Probleme ein. Ich hoffe, dass hier kein Elko eingezeichet ist.
Wie groß soll die Schaltfrequenz sein?
R1, R8, D1, D3, D4 und C2 würde ich in SMD ausführen.
Input Capacitance des Mosfets beträgt 2nF. Die Leiterschleife ist grob 6 cm lang. Das sind ca. 30nH. Hinzu kommen 12,5nH Sourceinduktivität des Mosfets. Um eine kritische Dämpfung (linearer C und L angenommen) zu bekommen müsste der Gatewiderstand 9,2 ohm groß sein.
Der aktuelel Aufbau könnte noch einigermaßen ohne Überschwinger an den Gates funktionieren.
10µF für C2 kommt mir viel zu groß vor.
Bei 120nC Ladung im Gate verändert ein 1,2µF Kondensator seine Spannung um 0,1V. Mit einem 10µF Kondensator handelt man sich nur Probleme ein. Ich hoffe, dass hier kein Elko eingezeichet ist.
Wie groß soll die Schaltfrequenz sein?