[3eepoint]

Zitat:Original geschrieben von Calvin

Hi,

wieso heizen? Es geht nicht darum die JFETs zu heizen, sondern die Hitze ist eine Folge der gewählten Arbeitspunkte mit hohem Drainstrom.
Zum einen sind hier die Arbeitskurven linearer, was günstig für den THD ist. In Voltis Anwendung sicherlich ohne entscheidende Bedeutung.
Zum zweiten ist die Transconductance höher.
Zum Dritten wechselt ein JFET von positivem Temperaturkoeffizienten bei kleinen Drainströmen zu negativem TC bei höheren Id. Es ist günstig im Punkt TC=0 oder bei negativem TC zu ruhestromen.
Zum vierten nimmt das (Spannungs-)Rauschen ab.
Und zum fünften klingen JFETs ähnlich Trioden am besten, wenn sie mit relativ hohen Ruheströmen gefahren werden. Leider ist die Verlustleistung ebenfalls hoch.

Volti hat jetzt schon einen Bestand an SK170 (Suffix?).
Für diese lowcurrent lowvoltage Anwendung kämen eine Reihe anderer JFETs in Frage, die hierfür günstigere Parameter aufweisen, z.B. der Hitachi/Renesas 2SK3782, sowie der Sanyo 2SK3796 und der mit extremer gm versehene 2SK932-D. Als Toshiba Typ könnte auch ein 2SK4059TV in die Auswahl.

jauu
Calvin

Ok, jetzt stimmt mein Weltbild wieder, danke ihr zwei, es kam so rüber als ob es um die Temperatur ginge