[urs]

Hallo Freunde der Praxis,

es käme wohl niemand auf die Idee eine
Röhre z.B. ECL80 zu öffnen, um die zwei
Systeme zu trennen, weil sie eine gemeinsame
Kathode haben, was für manche Anwendung sehr
hinderlich ist

Bei IGBT´s geht das offenbar, sofern diese
als Halbbrücke konfiguriert sind.
[IMG] https://stromrichter.org/d-amp/content/i...nsicht.jpg[/IMG]

Dort sind Source(1) und Drain(2) der beide FET´s
über eine interne Brücke mit einander verbunden,
so dass man keinen Source(1)-Widerstand einfügen kann.
Diese Verbindung aber kann offensichtlich aufgetrennt werden,
man muss nur das Gehäuse öffnen, was bei manchen Typen
erstaunlich einfach ist.



Ein defektes Teil wurde also geöffnet und der "Glibber"
weitgehend entfernt. Man erkennt die innere Verbindung
der drehsymmetrisch angeordnete Systeme und die massive
Brücke, welche beide Teile verbindet.
Wenn man diese aufsägt, hat man zwei unabhängige FET´s.
Nur die Verdrahtung nach außen dürfte wegen des zusätzlichen
Kontaktes schwierig werden, wenn man das originale "Gehäuse"
weiter verwenden will.

[IMG] https://stromrichter.org/d-amp/content/i...nzeichnung IGBT.bmp[/IMG]

Eine Auffälligkeit:
der rechte Teil ist zerstört (+ 25 V am Gate ), was man
an den verfärbten Stellen erkennt, wo Anschlüsse gebondet sind;
der linke Teil ist noch intakt.

Wer zwei sehr leistungsfähge FET´s sucht, die isoliert und
mit einander thermisch gut verbunden sind, kann hier also fündig
werden.