06.11.2012, 04:19 PM
Die Domäne von IGBT`s ist das steuern/schalten von hohen Strömen bei hohen Spannungen, sie halten dementsprechend auch Hohe Spannungen (1200V Sind keine Seltenheit, teilweise sind bis zu 6000V Möglich) und Ströme (120A sind hier "normal", 1200A sind auch machbar) aus. Zudem kann man mit ihnen eine relativ hohe Verlustleistungb anführen, bei entsprechender Kühlung versteht sich.
Der Steuerteil ist wie ein Mosfet aufgebaut und der Leistungsteil wie ein BJT.
Ich fürchte aber das ich hier malwieder der Milchmädchenanschaung auf dem Leim gegangen bin bezüglich der Eigenschaften anhand des "normalen" Schaltbilds
Für mich hieß BJT invers immer: Dicht bis zu dem Punkt wo die BE Spannung überschritten wird
Der Steuerteil ist wie ein Mosfet aufgebaut und der Leistungsteil wie ein BJT.
Ich fürchte aber das ich hier malwieder der Milchmädchenanschaung auf dem Leim gegangen bin bezüglich der Eigenschaften anhand des "normalen" Schaltbilds
Für mich hieß BJT invers immer: Dicht bis zu dem Punkt wo die BE Spannung überschritten wird