14.07.2012, 08:36 PM
schon richtig, das Gate wird dabei durch
den Transistor verstärkt angesteuert, aber
nun sind nur noch 70 Volt pp an der Anode
gegenüber 120 V pp bei der ersten Simulation.
Frage: kannst Du bei der zweiten Simulation mit
Deiner alternativen CCS und der EL 34 noch mal 375 Volt als Ub
und stärkeren Strom ( z.B. Kathodenwiderstand und
Sourcewiderstand verändern )
laufen lassen- anstelle von 160 Volt, wenn z.B keine
Daten für die dort vorgesehene E 130 L vorhanden sind?
Bei dem Spannungshub auf der Primärseite müßten dann
doch eigentlich ein paar Watt am Trafoausgang erscheinen.
den Transistor verstärkt angesteuert, aber
nun sind nur noch 70 Volt pp an der Anode
gegenüber 120 V pp bei der ersten Simulation.
Frage: kannst Du bei der zweiten Simulation mit
Deiner alternativen CCS und der EL 34 noch mal 375 Volt als Ub
und stärkeren Strom ( z.B. Kathodenwiderstand und
Sourcewiderstand verändern )
laufen lassen- anstelle von 160 Volt, wenn z.B keine
Daten für die dort vorgesehene E 130 L vorhanden sind?
Bei dem Spannungshub auf der Primärseite müßten dann
doch eigentlich ein paar Watt am Trafoausgang erscheinen.