11.10.2011, 05:40 PM
Die letzten Konzepte zeigen alle eine Leistungsstufe mit Spannungsverstärkung.
Die erreichte slewrate kommt also in der Endstufe zustande.
Das ist auch sinnvoll, da im Ausgang genug Strom geliefert werden kann,
um Kapazitäten umzuladen.
Herkömmliche Verstärkerkonzepte mit Treiberschaltung und Leistungspufferstufe haben das Nadelöhr in der Treiberschaltung,
die bei den begrenzten Ladeströmen den vollen Spannungshub nicht schnell genug umschalten kann.
Ich glaube nicht dass mit BJTs die Bandbreite der MOSFET-Cascade erreicht werden kann. Wobei unkaskadierte MOSFETs in der Simu deutlich langsamer schalteten, offensichtlich aufgrund des Millereffektes, in Verbindung mit dem internen gate-Serienwiderstand. Die Zeitverzögerung gate-Spannung zu drain-Strom lag hier zwischen 10 und 20ns.
Die erreichte slewrate kommt also in der Endstufe zustande.
Das ist auch sinnvoll, da im Ausgang genug Strom geliefert werden kann,
um Kapazitäten umzuladen.
Herkömmliche Verstärkerkonzepte mit Treiberschaltung und Leistungspufferstufe haben das Nadelöhr in der Treiberschaltung,
die bei den begrenzten Ladeströmen den vollen Spannungshub nicht schnell genug umschalten kann.
Ich glaube nicht dass mit BJTs die Bandbreite der MOSFET-Cascade erreicht werden kann. Wobei unkaskadierte MOSFETs in der Simu deutlich langsamer schalteten, offensichtlich aufgrund des Millereffektes, in Verbindung mit dem internen gate-Serienwiderstand. Die Zeitverzögerung gate-Spannung zu drain-Strom lag hier zwischen 10 und 20ns.
...mit der Lizenz zum Löten!