06.10.2011, 06:09 PM
Wenn man sich bei 10MHz mal den Basistrom ansieht, zeigt sich eine deutliche Einschaltverzögerung. Dadurch folgt der Ausgangsstrom verzögert,
und die bootstrap-Schaltung kann sich nicht rechtzeitig aufbauen - Ein Teufelskreis.
Ringemitter-Transistoren scheinen nun auch nicht unbedingt schneller, hier habe ich Transitfrequenzen um 30MHz gesehen.
Von daher denke ich, ist dieses bootstrap-Konzept gut bis vielleicht 3Mhz.
Die Signalverzerrungen bei höheren Frequenzen sind durch Gegenkopplung nicht korrigierbar.
Wenn Dir 3Mhz aber nicht reichen, kommt wohl doch wieder die Schaltung mit geerdeten Emitteren/sourcen und mit den schwimmenden Betriebsspannungen ins Spiel.
Vorteile: Beliebige Spannungsverstärkung und
in den Grenzbereichen kann ordentlich Ansteuerstrom geliefert werden,
um die Transistoren in die gewünschte Richtung zu zwingen.
Von daher mein Vorschlag: Lateral-MOSFETs ähnlich 2SK135/J50,
wegen der geringen Übernahmeverzerrungen und guten HF-Eigenschaften, und dann mit geerdeten sourcen etc.
und die bootstrap-Schaltung kann sich nicht rechtzeitig aufbauen - Ein Teufelskreis.
Ringemitter-Transistoren scheinen nun auch nicht unbedingt schneller, hier habe ich Transitfrequenzen um 30MHz gesehen.
Von daher denke ich, ist dieses bootstrap-Konzept gut bis vielleicht 3Mhz.
Die Signalverzerrungen bei höheren Frequenzen sind durch Gegenkopplung nicht korrigierbar.
Wenn Dir 3Mhz aber nicht reichen, kommt wohl doch wieder die Schaltung mit geerdeten Emitteren/sourcen und mit den schwimmenden Betriebsspannungen ins Spiel.
Vorteile: Beliebige Spannungsverstärkung und
in den Grenzbereichen kann ordentlich Ansteuerstrom geliefert werden,
um die Transistoren in die gewünschte Richtung zu zwingen.
Von daher mein Vorschlag: Lateral-MOSFETs ähnlich 2SK135/J50,
wegen der geringen Übernahmeverzerrungen und guten HF-Eigenschaften, und dann mit geerdeten sourcen etc.
...mit der Lizenz zum Löten!