[Hoppenstett]

Zitat:Original geschrieben von voltwide

Zitat:Original geschrieben von Hoppenstett

Die Verwendung von Mos-Fets z.B. IRF610 ... IRF840 als HV Z-Diode, ist das dauerhaft möglich? ... welche Nachteile hat dies?

Das läuft auf Avalanche-Durchbruch hinaus.
Die meisten MOSFET sollten damit kein Problem haben, d.h.
damit hast Du eine "Zener"-Diode die Du mit der vollen Verlustleistung des MOSFET belasten kannst. (S. Herstellerangaben SOA, avalanche ratings)

Voltwide hat die Frage schon beantwortet. Unklar ist (mir) nur ob mit Avalance-Effekt beim Mos-Fet nicht doch der Durchlassbereich der Diode gemeint ist, im Gegensatz zur Z-Diode wo sich dies auf den Sperrbereich bezieht.

Ein Mos-Fet ist Drain-Source mäßig eine vollwertige Gleichrichterdiode, wäre er dies auch als Z-Diode?
... natürlich hätte man ein neues Thema "MOS-FET als Z-Diode?" aufmachen können ...