31.05.2011, 08:52 PM
ole, heute hab ich die messungen gemacht. alles mist hier:
es gibt immer mal durchschläge, ist auch egal bei welcher oszillatorfrequenz... wenn ich höher gehe, zuletzt 500 kHz geht es sogar am besten. sobald man übrigens irgend eine stelle der schaltung anfasst, kann sich die situation massgeblich verbessern oder verschlechtern... bin ratlos.
3 ideen hab ich noch:
1.) den ladekondensator größer machen, der hat nur 225 pF... den zu 1 nF umbauen und mit den widerständen die frequenz hochbekommen siehe parasitäre eigenschaften...
2.) ich hab nich nicht die jeweils zusammengehörigen FETs gemessen, sondern immer nur einen IR2110... also nicht so, wie die brücke geht... das mache ich dann morgen für heute reichts mir...
3.) die masseflächen vom laborkollegen runterhobeln obwohl ich da absolut keine lust hab... aber die leistungsmasse geht so direkt unter den modulator ( 2 lagig...)
grüße
es gibt immer mal durchschläge, ist auch egal bei welcher oszillatorfrequenz... wenn ich höher gehe, zuletzt 500 kHz geht es sogar am besten. sobald man übrigens irgend eine stelle der schaltung anfasst, kann sich die situation massgeblich verbessern oder verschlechtern... bin ratlos.
3 ideen hab ich noch:
1.) den ladekondensator größer machen, der hat nur 225 pF... den zu 1 nF umbauen und mit den widerständen die frequenz hochbekommen siehe parasitäre eigenschaften...
2.) ich hab nich nicht die jeweils zusammengehörigen FETs gemessen, sondern immer nur einen IR2110... also nicht so, wie die brücke geht... das mache ich dann morgen für heute reichts mir...
3.) die masseflächen vom laborkollegen runterhobeln obwohl ich da absolut keine lust hab... aber die leistungsmasse geht so direkt unter den modulator ( 2 lagig...)
grüße