30.05.2011, 06:35 PM
ich hab aus den 10 Ohm 500 Ohm gemacht an den gates um die ladezeit zu erhöhen. das abschalten der FETs müsste ja wegen der diode am gate schnell gehen... die FETs haben extrem kleine eingangskapazitäten. vermutlich könnte man die ladewiderstände weiter runternehmen wieder, aber andere werte hatte ich nicht da...
also muss ich einen möglichst nahen massepunkt als bezug suchen und die spule die du gewickelt hast wirkt gegen einsteurungen zusätzlich. macht sinn. ich habe von einem alten motherboard spulen runtergenommen und nur die eisenkerne verwendet. meine zuleitung habe ich dann um den kern paarmal gewickelt. interessant: vor dem kern das totale hf chaos. hinter dem kern, also der drossel saubere gleichspannung...
meinst du mit endstufe entstromen sie abzuschalten, also die 20 V betriebsspannung der FETs wegnehmen? dann sind die high-side und low-sides ganz sauber ohne jitter usw. der jitter kommt erst wenn ich "leistung" zulasse.
grüße
also muss ich einen möglichst nahen massepunkt als bezug suchen und die spule die du gewickelt hast wirkt gegen einsteurungen zusätzlich. macht sinn. ich habe von einem alten motherboard spulen runtergenommen und nur die eisenkerne verwendet. meine zuleitung habe ich dann um den kern paarmal gewickelt. interessant: vor dem kern das totale hf chaos. hinter dem kern, also der drossel saubere gleichspannung...
meinst du mit endstufe entstromen sie abzuschalten, also die 20 V betriebsspannung der FETs wegnehmen? dann sind die high-side und low-sides ganz sauber ohne jitter usw. der jitter kommt erst wenn ich "leistung" zulasse.
grüße