12.04.2011, 08:08 AM
Ich wollte mich noch weiter über die Schwingneigung der Schaltung auslassen...
...dass MOS gekrümmte Kennlinien z.B. in dieser Form haben, das ist bekannt:
Die Verstärkung des MOS (Id vs. Steuerspannung) beginnt ganz flach und geht dann in eine Gerade konstanter Steigung über. 10mV Gatespannungsänderung bewirken also ganz unterschiedliche Drain-Stromänderungen, je nachdem auf welchem Bereich der Kennlinie man sich gerade befindet.
Bei kleinen eingestellten Stromstärken ist die Verstärkung des MOS gering. Bei großen Stromstärken steigt die Schwingneigung.
Dagegen hilft die Einführung einer Stromgegenkopplung (Source-Widerstand), die man sowieso zur Symmetrierung bei Schaltungen mit mehreren MOS braucht und/oder die Auswahl gering verstärkender Transistoren.
Weiterhin begünstigend für Schwingungen ist die hochohmige Ansteuerung der MOSFETs. In Verbindung mit den erheblichen Eingangskapazitäten der Gates ergibt meine Schaltung ein ungünstige Phasenverschiebung. Gehässigerweise ist der Quellwiderstand meines Treibers auch variabel: bei positiven Gatespannungshüben ist er hochohmig, bei negativen Hüben niederohmig. Das führt zu einem sägezahnförmigen Verlauf der Gatespannungen, wenn die Schwingungen erstmal eingesetzt haben.
So. Mehr hab ich jetzt nicht mehr auf dem Zettel...
...dass MOS gekrümmte Kennlinien z.B. in dieser Form haben, das ist bekannt:
Die Verstärkung des MOS (Id vs. Steuerspannung) beginnt ganz flach und geht dann in eine Gerade konstanter Steigung über. 10mV Gatespannungsänderung bewirken also ganz unterschiedliche Drain-Stromänderungen, je nachdem auf welchem Bereich der Kennlinie man sich gerade befindet.
Bei kleinen eingestellten Stromstärken ist die Verstärkung des MOS gering. Bei großen Stromstärken steigt die Schwingneigung.
Dagegen hilft die Einführung einer Stromgegenkopplung (Source-Widerstand), die man sowieso zur Symmetrierung bei Schaltungen mit mehreren MOS braucht und/oder die Auswahl gering verstärkender Transistoren.
Weiterhin begünstigend für Schwingungen ist die hochohmige Ansteuerung der MOSFETs. In Verbindung mit den erheblichen Eingangskapazitäten der Gates ergibt meine Schaltung ein ungünstige Phasenverschiebung. Gehässigerweise ist der Quellwiderstand meines Treibers auch variabel: bei positiven Gatespannungshüben ist er hochohmig, bei negativen Hüben niederohmig. Das führt zu einem sägezahnförmigen Verlauf der Gatespannungen, wenn die Schwingungen erstmal eingesetzt haben.
So. Mehr hab ich jetzt nicht mehr auf dem Zettel...