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Das mit den Dioden siehst Du schon ganz richtig. Gerade bei hohen Betriebsspannungen werden die intrinsischen Dioden sehr schlecht.
Die Kombination aus Schottky- und Si-Diode erscheint mir vernünftig.
MUR860 ist ein alter Bekannter, sollte aber den Job tun.
Bei den MOSFETs ist es in dieser Anwendung wirklich angesagt, auf kleine Sperrverzugsladung zu achten, das ist wichtiger als besonders
niedrige Schaltzeiten.
Dass die Infineons so mies sind, war mir nicht geläufig,
schaue ich mir bei Gelegenheit mal an.
Ansonsten hast Du ja wohl selbst inzwischen ne Menge rumgeforscht
und selbst herausgearbeitet. Lob, Lob, Lob!