24.10.2010, 01:17 AM
Der Text war sehr aufschlussreich!
Jetzt hat die Diode im Fet auch eine Forward Voltage. Diese berägt beim IRF540N z.B. 1,2V. das scheint mir im Vergleich zu einer Siliziumdiode ziemlich hoch.
Wenn ich das richtig in Erinnerung habe, so verwendet man bei Siliziumdioden eine bestimmte Dotierungsmenge um die Dotierungsschichten im einem temperaturunabhängigem Bereich zu bauen. Deswegen ergeben sich fast immer diese 0,7V. Das würde also bedeuten, dass die intrinsische Diode des Fets sehr stark Temperaturabhängig sein muss.
Bei dem starken Spannungsunterschied sollte das Problem mit einer externen Diode gelöst sein. Denn diese schaltet bei einer geringeren Spannung, so dass gar keine Ladungsträger im Mosfet verschoben werden können.
Oder gibt es noch weitere Probleme?
Könnte mir vorstellen, dass die interne Diode zeitlich schneller schaltet als meine Externe.
Jetzt hat die Diode im Fet auch eine Forward Voltage. Diese berägt beim IRF540N z.B. 1,2V. das scheint mir im Vergleich zu einer Siliziumdiode ziemlich hoch.
Wenn ich das richtig in Erinnerung habe, so verwendet man bei Siliziumdioden eine bestimmte Dotierungsmenge um die Dotierungsschichten im einem temperaturunabhängigem Bereich zu bauen. Deswegen ergeben sich fast immer diese 0,7V. Das würde also bedeuten, dass die intrinsische Diode des Fets sehr stark Temperaturabhängig sein muss.
Bei dem starken Spannungsunterschied sollte das Problem mit einer externen Diode gelöst sein. Denn diese schaltet bei einer geringeren Spannung, so dass gar keine Ladungsträger im Mosfet verschoben werden können.
Oder gibt es noch weitere Probleme?
Könnte mir vorstellen, dass die interne Diode zeitlich schneller schaltet als meine Externe.