[Redegle]

Zitat:Original geschrieben von voltwide

Im Datenblatt stehen Spezifikationen, die unter den angegebenen Bedingungen
eingehalten werden (sollten). Bei Schaltzeiten wird üblicherweise der zusätzliche gate Vorwiderstand angegeben. Mit kleineren gate-Vorwiderständen kann die Schaltgeschwindigkeit meist noch gesteigert werden.
Davon mal abgesehen ist der IRF740 eine uralt-Krücke und alles andere als erste Wahl für eine getaktete Brückenschaltung.

Viel wichtiger als irgendwelche Schaltzeiten ist das Reverse-Recovery-Verhalten der intrinsischen Dioden. Was man spätestens dann lernt,
wenn unter Volllast die Transen scheinbar grundlos kaputt gehen.

Danke für den Hinweis!
Werde mal darauf achten, ob ich im Datenblatt Angaben zu den Testbedingungen finde. Dachte bis jetzt immer es gäbe ein physikalisches Minimum.
Sehe ich es richig, dass ich sozusagen nur auf die Gatekapazität achten muss.
Also sobald an diesem eine Spannung anliegt, welche hoch genug ist, dann ist der Mosfet "sofort" leitend.

Wenn dem so ist werde ich mich wohl nocheinmal auf die Suche nach einem anderen Mosfet begeben. Unter diesem Gesichtspunkt würde das auch bedeuten, dass ich kahlos Mosfet ggf. in weit unter 60ns einschalten kann.

EDIT: Über das Reverse-Recovery-Verhalten muss ich mich erstmal einlesen.