12.08.2010, 10:14 AM
Ich hab eben mal einige Halbleiter durchgeleiert.
Bei Dioden ist das Kapazitätsverhältnis ähnlich wie bei den MOSFETs. Allerdings schafft es keine einzige Diode in deren Nanofarad-Bereich. Grundsätzlich kann man sagen, dass die Ruhekapazität und die Gehäusegröße proportional sind. Die dicksten Dioden haben auch die dicksten Kapazitäten, bis herauf zu 300pF.
Schottky-Powerdioden gehen nicht.
Überzeugender waren HV-Power-BJT. Die CE-Dioden fingen bei locker 500pF an und gingen dann runter bis auf 50pF. Die BE-Dioden verhielten sich wie normale Powerdioden, also rund 300pF und natürlich nur bis wenige Volt brauchbar.
Also insgesamt keine Überraschungen.
Bei Dioden ist das Kapazitätsverhältnis ähnlich wie bei den MOSFETs. Allerdings schafft es keine einzige Diode in deren Nanofarad-Bereich. Grundsätzlich kann man sagen, dass die Ruhekapazität und die Gehäusegröße proportional sind. Die dicksten Dioden haben auch die dicksten Kapazitäten, bis herauf zu 300pF.
Schottky-Powerdioden gehen nicht.
Überzeugender waren HV-Power-BJT. Die CE-Dioden fingen bei locker 500pF an und gingen dann runter bis auf 50pF. Die BE-Dioden verhielten sich wie normale Powerdioden, also rund 300pF und natürlich nur bis wenige Volt brauchbar.
Also insgesamt keine Überraschungen.